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苏州元脑智能科技有限公司刘仍庆获国家专利权

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龙图腾网获悉苏州元脑智能科技有限公司申请的专利备电电路的充放电电路和存储服务器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120357598B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510855492.0,技术领域涉及:H02J7/00;该发明授权备电电路的充放电电路和存储服务器是由刘仍庆;华要宇;崔学涛;陆素素;曹刚强;王博宇设计研发完成,并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

备电电路的充放电电路和存储服务器在说明书摘要公布了:本公开提供备电电路的充放电电路和存储服务器,其中,充放电电路包括主控电路和功率变换电路,主控电路包括四个PWM信号输出引脚;功率变换电路包括四个MOS管和第一电感,四个MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管;第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极,第三MOS管的漏极连接所述第四MOS管的源极,第一MOS管的漏极通过第一电感和电流采样电阻连接第三MOS管的漏极;四个MOS管的栅极分别连接四个PWM信号输出引脚的输出信号;本方案既简化了电路又保证了电路的安全性,降低了电路成本,减小了PCB布局面积;还有,组成电路的电子元器件均为通用器件,消除了物料供应风险。

本发明授权备电电路的充放电电路和存储服务器在权利要求书中公布了:1.一种备电电路的充放电电路,其特征在于,包括: 主控电路,所述主控电路包括四个PWM信号输出引脚; 功率变换电路,所述功率变换电路包括四个MOS管和第一电感,所述四个MOS管包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管;所述第一MOS管的漏极连接所述第二MOS管的源极,所述第三MOS管的漏极连接所述第四MOS管的源极,所述第一MOS管的漏极通过所述第一电感和电流采样电阻连接所述第三MOS管的漏极;所述第二MOS管的漏极与所述第四MOS管的漏极连接且均接地;所述四个MOS管的栅极分别连接所述四个PWM信号输出引脚的输出信号; 驱动电路,所述驱动电路包括第一驱动单元、第二驱动单元和与门逻辑保护单元,所述第一驱动单元的两个输入引脚和所述第二驱动单元的两个输入引脚分别通过电阻连接所述四个PWM信号输出引脚的输出信号,所述第一驱动单元的两个输出引脚分别连接所述第一MOS管和所述第二MOS管的栅极;所述第二驱动单元的两个输出引脚分别连接所述第三MOS管和所述第四MOS管的栅极;所述与门逻辑保护单元包括四路与门逻辑芯片,所述四路与门逻辑芯片的四个与门的第一输入端分别连接所述主控电路的四个PWM信号输出引脚输出的PWM信号,所述四个与门的第二输入端均连接所述主控电路的故障输入引脚;电流采样及保护电路的多个比较电路的输出端与参考电压电路的输出端均通过串联的电阻和二极管后连接所述主控电路的故障输入引脚,所述故障输入引脚连接由电阻和电容组成的RC充电电路;所述四路与门逻辑芯片的四个输出端分别连接所述第一驱动单元和所述第二驱动单元的输入引脚。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人苏州元脑智能科技有限公司,其通讯地址为:215103 江苏省苏州市吴中经济开发区综保区经一路1号8幢;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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