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合肥康芯威存储技术有限公司祝欣获国家专利权

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龙图腾网获悉合肥康芯威存储技术有限公司申请的专利一种闪存块的管理方法及存储系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120371222B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510855023.9,技术领域涉及:G06F3/06;该发明授权一种闪存块的管理方法及存储系统是由祝欣;许展榕;章少为;莫海兰设计研发完成,并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。

一种闪存块的管理方法及存储系统在说明书摘要公布了:本发明提供一种闪存块的管理方法及存储系统,属于存储技术领域。所述管理方法包括:当闪存块中存在闪存页的错误数据的数量超过设定阈值时,将闪存块的工作模式从正常工作模式调整为伪单层单元模式,形成低性能闪存块;在收到低性能闪存块的验证触发信号时,将空置的低性能闪存块的供电电压从标准电压降低至弱电电压,并将空置的低性能闪存块从伪单层单元模式切换为正常工作模式,向空置的低性能闪存块中写入数据,以验证低性能闪存块是否达到验证标准;以及重复验证低性能闪存块是否达到验证标准,当低性能闪存块达到验证标准的次数达到预设次数时,将低性能闪存块作为常规闪存块使用。通过本发明提供的闪存块的管理方法,可延长存储芯片的寿命。

本发明授权一种闪存块的管理方法及存储系统在权利要求书中公布了:1.一种闪存块的管理方法,其特征在于,至少包括以下步骤: 当闪存块中存在闪存页的错误数据的数量超过设定阈值时,将所述闪存块的工作模式从正常工作模式调整为伪单层单元模式,形成低性能闪存块; 在收到低性能闪存块的验证触发信号时,将空置的所述低性能闪存块的供电电压从标准电压降低至弱电电压,并将空置的所述低性能闪存块从伪单层单元模式切换为正常工作模式,向空置的所述低性能闪存块中写入数据,以验证所述低性能闪存块是否达到验证标准;以及 重复验证所述低性能闪存块是否达到验证标准,当所述低性能闪存块达到验证标准的次数达到预设次数时,将所述低性能闪存块作为常规闪存块使用。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人合肥康芯威存储技术有限公司,其通讯地址为:230601 安徽省合肥市经济技术开发区宿松路3963号智能装备科技园D3栋5层;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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