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龙图腾网获悉深圳市美思先端电子有限公司申请的专利基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379507B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510874000.2，技术领域涉及：H10N10/01；该发明授权基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法是由宏宇;武斌设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法，方法包括在预置硅衬底的上表面采用互补型金属氧化物半导体工艺进行金属连接加工以形成互联金属以及钝化层，互联金属连接各预置热电堆；在热电堆悬浮膜的预定区域下方沉积一层氧化硅作为牺牲层；分别对互联金属上方的钝化层及牺牲层进行刻蚀以形成开孔，互联金属通过开孔暴露；对牺牲层进行选择性刻蚀，以使热电堆支撑膜及其上的多晶硅热电堆结构从硅基底上释放形成器件内热隔离。本方法实现了热电堆单元与专用集成电路的高密度集成，提升热电堆芯片的集成度，降低芯片尺寸，同等尺寸下可容纳更多电路功能，也可增加热电堆单元尺寸，提高信号强度。

本发明授权基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于3D层叠结构设计的热电堆器件制作方法，其特征在于，所述方法包括： 在硅衬底上使用互补型金属氧化物半导体工艺制作专用集成电路，所述专用集成电路内包括钝化层，并在所述专用集成电路内的顶层金属区域预留互联金属区域，所述互联金属连接预置的各热电堆，确定热电堆悬浮膜的预定区域； 在热电堆悬浮膜的预定区域下方沉积一层氧化硅作为牺牲层； 分别对所述互联金属上方的钝化层及牺牲层进行刻蚀以形成开孔，所述互联金属通过所述开孔暴露； 在所述牺牲层的上方进行氮化硅沉积形成氮化硅层以填充开孔，所述氮化硅层覆盖所述牺牲层； 在所述热电堆的上方进行氧化硅、氮化硅以及氧化铝材料沉积以形成热电堆支撑膜，所述支撑膜设计为多层结构，所述热电堆支撑膜中的氧化硅材料与所述牺牲层中的氧化硅材料不相接触； 对所述热电堆进行多晶硅沉积并对所形成的第一层多晶硅进行选择性掺杂并刻蚀，形成所述热电堆的第一多晶硅热电偶层； 在所述第一多晶硅热电偶层上方进行氮化硅沉积以形成介电层； 对所述热电堆进行多晶硅沉积并对所形成的第二层多晶硅进行选择性掺杂并刻蚀，形成所述热电堆的第二多晶硅热电偶层； 在所述第二多晶硅热电偶层上方进行氮化硅材料沉积以形成绝缘层，并对所述钝化层、所述牺牲层、所述热电堆支撑膜以及所述绝缘层进行开孔； 沉积一层金属层，所述第一多晶硅热电偶层与第二多晶硅热电偶层互联形成热电偶，所述热电偶与所述专用集成电路通过所述金属层进行互联； 在所述金属层上方进行钝化层沉积； 对所述牺牲层进行选择性刻蚀，以使所述热电堆支撑膜及其上的多晶硅热电堆结构从硅基底上释放形成3D悬浮结构以完成热电堆器件内热隔离。

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