江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司刘田鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司申请的专利一种非晶硅薄膜及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120400814B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885997.1，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权一种非晶硅薄膜及其制备方法与应用是由刘田鹏;穆洪杨;季润梅;杨磊设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非晶硅薄膜及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，涉及一种非晶硅薄膜及其制备方法与应用，所述制备方法包括：（1）采用PECVD方法，在硅烷和氢气的第一混合气氛中进行预沉积，得到非晶硅预沉积薄膜；（2）调节硅烷和氢气的流量，在硅烷和氢气的第二混合气氛中进行主沉积，得到所述非晶硅薄膜。本发明提供的非晶硅薄膜的制备方法在进行PECVD时，均在硅烷和氢气的混合气氛中进行，能够改善非晶硅薄膜的均一性，提高了非晶硅薄膜的质量；而且，本发明包括依次进行的预沉积与主沉积，通过预沉积改善了非晶硅薄膜的表面粗糙度，消除了磨砂外观，满足工业化生产需要。
本发明授权一种非晶硅薄膜及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种非晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法为： （1）采用PECVD方法，在硅烷和氢气的第一混合气氛中进行预沉积，得到非晶硅预沉积薄膜； 所述预沉积的压力为0.6torr~1torr，射频功率为50W~100W； 所述预沉积的温度为250℃~300℃； （2）调节硅烷和氢气的流量，在硅烷和氢气的第二混合气氛中进行主沉积，得到所述非晶硅薄膜； 所述主沉积的压力为4torr~5torr，射频功率为200W~300W； 所述主沉积的温度为250℃~300℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文微电子科技股份有限公司，其通讯地址为：226400 江苏省南通市如东县掘港街道金山路1号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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