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龙图腾网获悉上海中科飞测半导体科技有限公司申请的专利一种晶圆边缘区域测量装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120385284B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510886854.2，技术领域涉及：G01B11/02；该发明授权一种晶圆边缘区域测量装置及方法是由陈鲁;盛浩;杨楠;张鹏斌设计研发完成，并于2025-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆边缘区域测量装置及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆边缘区域测量装置及方法，该装置包括：第一光路结构，用于从正面照明晶圆边缘的第一待测区域，第一待测区域包括EBR的铣边线；第二光路结构，用于从背面照明晶圆边缘的第二待测区域，第二待测区域包括边缘顶点，且第二待测区域与第一待测区域关于晶圆相背设置；图像采集单元，用于对第一待测区域进行反射光成像和对第二待测区域进行对射光成像，获取包含铣边线和边缘顶点的待测图像；处理单元，用于根据待测图像中铣边线与边缘顶点的成像位置关系计算得到EBR操作区域的宽度。本发明使EBR的铣边线和晶圆边缘区域在同一图像中成像，实现对铣边线至边缘顶点之间EBR操作区域宽度的准确测量，降低量测误差。

本发明授权一种晶圆边缘区域测量装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆边缘区域测量装置，其特征在于，其包括： 第一光路结构，用于从正面照明晶圆边缘的第一待测区域，所述第一待测区域包括EBR的铣边线； 第二光路结构，用于从背面照明晶圆边缘的第二待测区域，所述第二待测区域包括边缘顶点，且所述第二待测区域与所述第一待测区域关于晶圆相背设置； 图像采集单元，用于对所述第一待测区域进行反射光成像和对所述第二待测区域进行对射光成像，获取包含所述铣边线和所述边缘顶点的待测图像； 处理单元，用于根据所述待测图像中所述铣边线与所述边缘顶点的成像位置关系计算得到EBR操作区域的宽度； 其中：所述第一待测区域覆盖晶圆边缘的平面区和斜面区，所述铣边线设于晶圆边缘的平面区； 所述第一光路结构包括第一照明光源，所述第一照明光源发射的第一照明光以小于90°的入射角射向所述第一待测区域，且在晶圆边缘的平面区和斜面区发生不同角度的反射，仅由晶圆边缘的平面区反射的光束被配置为到达所述图像采集单元； 所述第二光路结构包括第二照明光源和光路折转组件，所述第二照明光源发射的第二照明光射向所述第二待测区域，所述第二照明光的部分光束沿所述边缘顶点直射到达所述图像采集单元； 所述光路折转组件设置于晶圆背面的外侧空间，用于将所述第二照明光源发射的第二照明光通过折转方式引导至所述第二待测区域。

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