苏州迪森科电子科技有限公司宋党国获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州迪森科电子科技有限公司申请的专利光学元件激光切割方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120395200B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510900472.0，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权光学元件激光切割方法及系统是由宋党国设计研发完成，并于2025-07-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本光学元件激光切割方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及激光切割技术领域，公开一种光学元件激光切割方法及系统，包括放置光学元件使基底的第二表面朝向激光入射方向；配置中心激光束聚焦于基底内部、且靠近与膜层的界面处；配置环形激光束聚焦于膜层内部，所述环形激光束作用于所述膜层内形成环状改性区，所述环状改性区抑制所述基底的热量向所述膜层传递；控制所述环形激光束的脉冲比所述中心激光束的脉冲提前0.1ms~0.3ms；移动所述光学元件或沿切割路径同步移动所述环形激光束和中心激光束切割所述光学元件。本发明所述的方法及系统，通过双激光束协同及时序控制，实现在激光切割过程中对膜层的主动保护，提升整体切割质量与可靠性。
本发明授权光学元件激光切割方法及系统在权利要求书中公布了：1.光学元件激光切割方法，光学元件包括基底和附着于所述基底的第一表面的膜层，其特征在于：该方法包括， 放置所述光学元件使所述基底的第二表面朝向激光入射方向；所述第一表面和第二表面分别为所述基底厚度方向的两个相对表面； 配置中心激光束聚焦于所述基底内部、且靠近膜层-基底的界面处； 配置环形激光束聚焦于所述膜层内部，所述中心激光束与环形激光束的激光束轴线重合；所述环形激光束作用于所述膜层内形成环状改性区，所述环状改性区抑制所述基底的热量向所述膜层传递； 控制所述环形激光束的脉冲比所述中心激光束的脉冲提前0.1ms~0.3ms； 移动所述光学元件或沿切割路径同步移动所述环形激光束和中心激光束切割所述光学元件。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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