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龙图腾网获悉成都瓴科微电子有限责任公司申请的专利一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120406645B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906272.6，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路在说明书摘要公布了：本发明涉及模拟集成电路技术领域，公开了一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路，包括输入差分放大模块、功率调节模块、频率补偿模块和反馈分压模块，输入差分放大模块的输出端与频率补偿模块的输入端电性连接，频率补偿模块包括压控电流源和补偿电容C1，补偿电容C1配合压控电流源调整环路频率响应，通过多级电流镜加米勒补偿网络，针对性优化极点分布，配合补偿电容C1米勒效应，可主动压低主极点频率，让主极点远离高频区，保证环路相位裕度，从根本上抑制自激振荡，让输出电压稳定无波动。

本发明授权一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路在权利要求书中公布了：1.一种基于压控电流源的LDO频率补偿电路，其特征在于，包括输入差分放大模块、功率调节模块、频率补偿模块和反馈分压模块； 所述功率调节模块包括MOS管MP，所述输入差分放大模块输出的电流信号控制MOS管MP的栅极电压，而调节MOS管MP的导通程度，所述MOS管MP的源极为输出电压Vout，所述反馈分压模块包括电阻R1和电阻R2，所述电阻R1和电阻R2串联，所述电阻R1接在输出电压Vout上，所述电阻R2为接地设置； 所述输入差分放大模块的输出端与频率补偿模块的输入端电性连接，所述频率补偿模块包括压控电流源和补偿电容C1，所述补偿电容C1配合压控电流源调整环路频率响应； 所述输入差分放大模块包括差分输入级、第一电流镜、第二电流镜和偏置电路，所述差分输入级用于对基准电压Vref与反馈电压Vfb进行比较后转化为电流差，所述第一电流镜配合差分输入级，对信号初步放大，为后级提供合适电流信号，所述第二电流镜和偏置电路为差分输入级提供稳定偏置电流，确保电路工作在合适静态工作点； 所述差分输入级包括MOS管M1和MOS管M2，所述MOS管M1和MOS管M2是差分对管，所述MOS管M1的栅极接基准电压Vref，所述MOS管M2的栅极接反馈电压Vfb； 所述第一电流镜包括MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5和MOS管M6，所述MOS管M3和MOS管M4构成第一组电流镜，所述MOS管M5和MOS管M6构成第二组电流镜，所述MOS管M3的栅极与MOS管M4的栅极共接，所述MOS管M3的漏极与栅极连接，所述MOS管M3的漏极与MOS管M1的源极连接； 所述第二电流镜包括MOS管M7和MOS管M8，所述MOS管M7的源极和MOS管M8组成第三组电流镜，所述MOS管M7和MOS管M8的栅极共接，所述MOS管M7的源极和MOS管M8的源极与电源母线VDD连接，所述MOS管M7的漏极与MOS管M4的漏极连接，所述MOS管M8的漏极与MOS管M6的漏极共接； 所述偏置电路包括MOS管M11和MOS管M12，所述MOS管M12的源极与电源母线VDD连接，所述MOS管M12的漏极与MOS管M11的源极连接，所述MOS管M11的漏极分别与MOS管M1以及MOS管M12的源极共接； 所述MOS管M8的漏极与MOS管M6的漏极与MOS管MP的栅极连接。

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