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龙图腾网获悉无锡市乾野微纳科技有限公司申请的专利基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413445B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510912289.2，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法是由吉炜设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法，涉及芯片封装技术领域，应用于基于多层金属结构的芯片封装结构包括依循一直线方向设置的芯片基层、多层金属层、电镀层，所述多层金属层包括粘附层、连接层、结合层；包括以下步骤：利用等离子清洗方式进行清洗预处理，并做异变检测与分析，在获取检测数据后会进行第一步异变分析和或第二步异变分析；利用物理气相沉积工艺进行多层金属层的溅射沉积，并智能调整溅射参数；在多层金属层的顶端表面涂附光刻胶，进行曝光显影；利用电镀工艺沉积厚铜；该方法能够有利于提高各金属层的沉积质量，以确保多层金属结构的稳定性和性能。

本发明授权基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法在权利要求书中公布了：1.基于多层金属结构降低芯片RDSON阻值的封装方法，应用于基于多层金属结构的芯片封装结构，该结构包括依循一直线方向设置的芯片基层、多层金属层、电镀层，所述多层金属层包括粘附层、连接层、结合层；其特征在于：包括以下步骤： S1：利用等离子清洗方式进行清洗预处理，并做异变检测与分析，在获取检测数据后进行第一步异变分析和或第二步异变分析； S2：利用物理气相沉积工艺进行多层金属层的溅射沉积，并智能调整溅射参数，所述溅射参数包括溅射功率P、工作气压F，且溅射功率、工作气压均与沉积速率成正相关； 所述芯片基层自清洗预处理工序移动至溅射沉积工序过程中所经的固定移动路径确定，并记为移动路径距离L，所述移动路径距离L上设置一p点位置，所述p点位置用于进行第一步异变分析，所述p点位置处设置有第一检测模块且相应设置有若干对应芯片基层表面的检测点； 所述p点位置用p值确定，所述p值为从移动路径起始点至第一检测模块所在位置点间的路径距离占移动路径距离L的比例，0＜p值≤1； 所述第一步异变分析用于判断芯片基层每处检测点的氧化层厚度的合格情况以及相应的异变总和值的正常情况；所述第二步异变分析在基于p值不等于1且异变总和值正常的情况下推算芯片基层的终端氧化数据，再将其分别与氧化层厚度限值、异变总和限值比较，进行相应工序选择，所述相应工序包括溅射、更换、局部清洗。

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