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龙图腾网获悉深圳飞骧科技股份有限公司申请的专利恒温式声表面波滤波器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120498407B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510952533.8，技术领域涉及：H03H3/08；该发明授权恒温式声表面波滤波器及其制备方法是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-07-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本恒温式声表面波滤波器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及无线通讯技术领域，提供了一种恒温式声表面波滤波器及其制备方法，制备方法包括以下步骤：选择压电衬底，并在压电衬底的上表面形成第一沟槽和第二沟槽；由压电衬底的上表面沉积多晶硅以完全填充沟槽；对多晶硅进行研磨，直至暴露出压电衬底；对多晶硅分别注入离子，形成n型热偶对和p型热偶对；对硅衬底的上表面制作第一介质层；对第一介质层形成的第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽内分别制作第一热偶对互连层、第二热偶对互连层以及第三热偶对互连层；在第一介质层的上表面制作第二介质层；在压电衬底的下表面制作叉指结构和第三介质层；得到恒温式声表面波滤波器。本发明的恒温式声表面波滤波器能够提高温度稳定性与功率耐受性能。

本发明授权恒温式声表面波滤波器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种恒温式声表面波滤波器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 步骤S1、选择压电衬底，并在所述压电衬底的上表面形成第一沟槽和第二沟槽； 步骤S2、由所述压电衬底的上表面沉积多晶硅以完全填充所述第一沟槽和所述第二沟槽； 步骤S3、对所述多晶硅进行研磨减薄，直至将所述压电衬底的上表面完全暴露出； 步骤S4、向所述第一沟槽和所述第二沟槽内的所述多晶硅分别注入离子，分别形成n型热偶对和p型热偶对； 步骤S5、在所述压电衬底的上表面制作第一介质层，且使所述第一介质层完全覆盖所述压电衬底、所述n型热偶对和所述p型热偶对； 步骤S6、对所述第一介质层进行开窗，以间隔形成第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，并通过所述第一凹槽、第二凹槽以及所述第三凹槽暴露出所述n型热偶对和所述p型热偶对，并在所述第一凹槽、所述第二凹槽以及所述第三凹槽内分别形成第一热偶对互连层、第二热偶对互连层以及第三热偶对互连层；其中，所述第一热偶对互连层沿所述第一凹槽的槽内壁延伸并与所述n型热偶对形成电连接，所述第二热偶对互连层沿所述第二凹槽的槽内壁延伸并将所述n型热偶对和所述p型热偶对电连接，所述第三热偶对互连层沿所述第三凹槽的槽内壁延伸并与所述p型热偶对形成电连接； 步骤S7、在所述第一介质层的上表面制作第二介质层，以使所述第二介质层完全覆盖所述第一热偶对互连层、所述第二热偶对互连层以及所述第三热偶对互连层； 步骤S8、在所述压电衬底的下表面形成叉指结构和第三介质层，并使所述第三介质层完全覆盖所述压电衬底的下表面和所述叉指结构； 步骤S9、对所述第二介质层进行开窗，以暴露出所述第一热偶对互连层和所述第三热偶对互连层；对所述第三介质层进行开窗，暴露所述叉指结构的接触部，并在所述接触部生长锡球，得到恒温式声表面波滤波器。

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