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江苏芯德半导体科技股份有限公司周进普获国家专利权

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龙图腾网获悉江苏芯德半导体科技股份有限公司申请的专利QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120473392B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510975961.2,技术领域涉及:H01L21/48;该发明授权QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构是由周进普;张灏杰;刘颖设计研发完成,并于2025-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。

QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构在说明书摘要公布了:本发明提供了一种QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构,QFN引线框架中,平面管脚设在框架单元正面的四个角,尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面,平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成了半包围结构。本发明公开的QFN引线框架通过半包围结构分散应力,降低开裂、崩坏风险。平面管脚也提供了额外的可焊表面,使熔融焊料更容易润湿并附着,减少虚焊或拒焊的风险。QFN封装结构通过使用四周具有半包围结构的QFN引线框架,增强了封装的结构强度,有效防止了封装四角结构崩坏,提高了封装结构的整体稳定性。因为平面管脚和尾翼管脚并不会被塑封料包裹,QFN封装结构可以通过平面管脚和尾翼管脚进行散热。

本发明授权QFN引线框架及其制备方法和QFN封装结构在权利要求书中公布了:1.QFN引线框架的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤: S1、提供金属基材,在金属基材上阵列布置多个框架单元,采用化学蚀刻工艺在金属基材正面形成基岛和引脚,引脚设在框架单元四周边缘处;在形成基岛和引脚的同时,在框架单元四个角分别设置管脚,所述管脚包括平面管脚和尾翼管脚; S2、对金属基材进行冲压和切割,形成独立的QFN引线框架,且平面管脚设在框架单元正面的四个角;尾翼管脚折弯后垂直于框架单元的正面,平面管脚和尾翼管脚对框架单元的每个角形成半包围结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人江苏芯德半导体科技股份有限公司,其通讯地址为:210000 江苏省南京市浦口区浦口经济开发区林春路8号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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