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龙图腾网获悉阜时科技有限公司申请的专利单光子雪崩二极管、光电检测装置及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223349004U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202521516336.3，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型单光子雪崩二极管、光电检测装置及电子设备是由高关且;吕晨晋;刘德胜设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本单光子雪崩二极管、光电检测装置及电子设备在说明书摘要公布了：本申请提供了一种单光子雪崩二极管、光电检测装置及电子设备，该单光子雪崩二极管包括基底层、第一掺杂区、第二掺杂区、隔绝区、第一电极和第二电极；第一掺杂区位于基底层上方，第二掺杂区位于第一掺杂区上方，且第一掺杂区与第二掺杂区的净掺杂类型相反，以在二者之间形成PN结，并在PN结交界面两侧形成耗尽区；隔绝区贴合于第一掺杂区和第二掺杂区水平方向的外侧，且被构造为在高度方向上至少覆盖第二掺杂区的上界面至第一掺杂区的下界面之间的区域；第一电极和第二电极被配置为向PN结施加反向偏置电压，以在耗尽区形成雪崩区。该单光子雪崩二极管能够在缩小整体尺寸时，不会影响到中间强纵向电场区域的尺寸。

本实用新型单光子雪崩二极管、光电检测装置及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种单光子雪崩二极管，其特征在于，包括： 基底层（10）； 第一掺杂区（20）和第二掺杂区（30），所述第一掺杂区（20）位于基底层（10）上方，所述第二掺杂区（30）位于所述第一掺杂区（20）上方，且所述第一掺杂区（20）与所述第二掺杂区（30）的净掺杂类型相反，以在二者之间形成PN结，并在所述PN结交界面两侧形成耗尽区； 隔绝区（40），所述隔绝区（40）贴合于所述第一掺杂区（20）和所述第二掺杂区（30）水平方向的外侧，且被构造为在高度方向上至少覆盖所述第二掺杂区（30）的上界面至所述第一掺杂区（20）的下界面之间的区域； 第一电极（61）和第二电极（62），所述第一电极（61）与所述第一掺杂区（20）电连接，所述第二电极（62）与所述第二掺杂区（30）之间电连接，所述第一电极（61）与第一掺杂区（20）的连接区域和所述第二电极（62）与所述第二掺杂区（30）的连接区域形成重掺杂区，所述第一电极（61）和第二电极（62）被配置为向所述PN结施加反向偏置电压，以在所述耗尽区形成雪崩区。

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