浙江芯微泰克半导体有限公司义岚获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江芯微泰克半导体有限公司申请的专利半导体器件的制造方法及制造系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527226B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511019760.1，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体器件的制造方法及制造系统是由义岚;王冲;陈轮兴;陈杰;梁晋学;陈源山设计研发完成，并于2025-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法及制造系统在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的制造方法及制造系统。首先，形成初始半导体结构，初始半导体结构包括相对的功能面和第一背面。然后，采用第一激光对第一背面进行减薄处理，形成过渡半导体结构。之后，获取过渡半导体结构的应力数据。最后，基于应力数据调整第一激光的参数，采用调整后的第一激光对过渡半导体结构进行减薄处理。如此，对初始半导体结构进行减薄化过程中，实时地监测减薄化后的应力数据，并基于应力数据调整第一激光处理的参数，以对过渡半导体结构进行减薄，有利于减小对过渡半导体结构进行减薄而产生的应力，减少应力损伤。
本发明授权半导体器件的制造方法及制造系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 形成初始半导体结构，所述初始半导体结构包括相对的功能面和第一背面； 采用第一激光对所述第一背面进行减薄处理，形成过渡半导体结构； 获取所述过渡半导体结构的应力数据； 基于所述应力数据调整所述第一激光的参数，并采用调整后的第一激光对所述过渡半导体结构进行减薄处理。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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