南开大学贾传成获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120529738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511022531.5，技术领域涉及：H10K30/60；该发明授权基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器及其制备方法是由贾传成;王泽翔;王菊;程丽;高春燕;郭雪峰设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及电子器件技术领域，尤其涉及基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器及其制备方法。单分子电忆阻器包括光响应转轴分子和石墨烯点电极对，光响应转轴分子连接于石墨烯点电极对之间。当紫外光照射光响应转轴分子时，对应转轴分子转动时出现的高电导态，当可见光照射光响应转轴分子时，对应转轴分子转动时出现的低电导态。基于此，单分子光电忆阻器具有高低电导双稳态，能够实现电导态的快速、可逆变化，进而可以提高响应速度、操作效率、性能的稳定性、灵活性和适应性。本发明提供的单分子光电忆阻器有望广泛应用于神经形态计算、人工智能和类脑计算等领域。本发明提供的制备方法，操作简便、反应条件温和，有利于产业化生产。
本发明授权基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.基于光响应转轴分子的单分子光电忆阻器，其特征在于，包括光响应转轴分子和石墨烯点电极对，所述光响应转轴分子连接于所述石墨烯点电极对之间； 其中，所述光响应转轴分子在施加电压的情况下能够对紫外光和可见光产生响应，所述光响应转轴分子的结构式如下所示： ； 其中，R选自、和中的任一种； 所述石墨烯点电极对包括第一石墨烯点电极和第二石墨烯点电极，所述光响应转轴分子两端分别通过酰胺键与所述第一石墨烯点电极和所述第二石墨烯点电极连接。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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