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龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120527276B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511022891.5，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法是由范雄;朱建雄;原国栋;韩超然;王兆丰;王世宽设计研发完成，并于2025-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法，设备包括主腔室、远程等离子体源、副腔室、真空泵、第一阀板、第二阀板和限流板，限流板上开设有限流孔；通过限流孔奠定压力差基础，再配合第二阀板与调压阀动态补偿流量波动，能够实现双腔压力的毫秒级精准控制，能够确保两种工作模式均可高效运行；晶圆处理方法针对多晶硅栅或者多晶硅基结构，在去胶阶段，自由基与刻蚀残留物发生反应，反应产物均为气态，气态产物可由真空泵抽出；通过这种“刻蚀去胶一体化”的协同工艺，充分利用多晶硅材料特性与双级压力调控设备优势，在保障工艺质量的同时，实现了效率、成本与环保的平衡。

本发明授权双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备及晶圆处理方法在权利要求书中公布了：1.一种双级压力调控等离子体刻蚀清洗设备，其特征在于，包括： 主腔室（11），配置有射频电源，用于执行等离子体刻蚀工艺； 远程等离子体源（1），用于生成去胶用活性自由基； 副腔室（12），连通所述远程等离子体源（1）和所述主腔室（11）； 真空泵（2），连通所述主腔室（11），用于调控所述主腔室（11）的气压，并通过旁抽支路连通所述副腔室（12），所述旁抽支路中配置有调压阀（3）； 第一阀板（21），设于所述主腔室（11）和所述副腔室（12）之间，用于动态隔离两个腔室； 第二阀板（22），设于所述主腔室（11）与所述真空泵（2）之间，所述第二阀板（22）的开度可调，通过调节所述第二阀板（22）的开度，能够改变所述主腔室（11）和所述真空泵（2）间的流导，从而实现压力的瞬时控制； 其中，所述主腔室（11）和所述副腔室（12）之间还设有限流板，所述限流板上开设有限流孔，所述限流孔用于限制从所述副腔室（12）流向所述主腔室（11）的气体流量、形成压力梯度； 通过所述旁抽支路与所述限流板的协同作用，能够实现副腔高压与主腔低压之间的动态压力平衡，以便支持先刻蚀后去胶和边刻蚀边去胶两种工作模式。

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