株式会社爱信成濑峰信获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社爱信申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113795935B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980096069.X，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权半导体存储装置是由成濑峰信设计研发完成，并于2019-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：半导体存储装置20具有由作为一个逻辑部40的对象逻辑部41访问的两种磁阻存储器即第一磁阻存储器21和第二磁阻存储器22。对象逻辑部41、第一磁阻存储器21以及第二磁阻存储器22形成于一个半导体芯片，第一磁阻存储器21的矫顽力大于第二磁阻存储器22的矫顽力。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其中， 具有由作为一个逻辑部的对象逻辑部访问的两种磁阻存储器即第一磁阻存储器和第二磁阻存储器， 所述对象逻辑部、所述第一磁阻存储器以及所述第二磁阻存储器形成于一个半导体芯片， 所述第一磁阻存储器的矫顽力大于所述第二磁阻存储器的矫顽力， 在所述第一磁阻存储器中存储有包括所述对象逻辑部的动作程序的设定数据， 在所述第二磁阻存储器中存储有包括所述对象逻辑部的运算结果的工作数据， 所述对象逻辑部具有按照所述动作程序进行运算处理的运算电路， 所述第二磁阻存储器相比所述第一磁阻存储器配置在更靠近所述运算电路的位置， 所述第一磁阻存储器以及所述第二磁阻存储器相对于所述对象逻辑部配置于所述半导体芯片的厚度方向的一侧即表面侧， 所述第二磁阻存储器的至少一部分配置于在沿着所述厚度方向的方向观察时与所述运算电路重叠的位置。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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