旺宏电子股份有限公司赖二琨获国家专利权
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龙图腾网获悉旺宏电子股份有限公司申请的专利立体存储器元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113224077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010138566.6，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权立体存储器元件及其制备方法是由赖二琨;龙翔澜设计研发完成，并于2020-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本立体存储器元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种立体存储器元件，包含衬底、多个水平导电层、多个垂直存储器结构以及垂直导电板体。多个水平导电层位于衬底上，这些导电层二紧邻者之间形成第一空气间隙。存储器结构穿越这些导电层而连接至衬底。导电板体位于这些存储器结构其中二紧邻者之间，且穿越这些导电层而连接至衬底，导电板体与这些水平导电层紧邻者的边缘之间形成第二空气间隙。
本发明授权立体存储器元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种立体存储器元件，包含： 一衬底； 多个水平导电层，位于该衬底上，这些导电层二紧邻者之间形成第一空气间隙； 多个垂直存储器结构，穿越这些导电层而连接至该衬底；以及 一垂直导电板体，位于这些存储器结构其中二紧邻者之间，且穿越这些导电层而连接至该衬底，该导电板体与这些水平导电层紧邻者的边缘之间在水平方向上形成第二空气间隙，该第二空气间隙填充该垂直导电板体和相应的垂直存储器结构之间的整个区域； 一共形氧化层，具有形成在第一空气间隙和这些垂直存储器结构之间的第一部分，以及形成在第一空气间隙和这些导电层之间的第二部分，其中，该第一部分和该第二部分具有均匀的厚度；以及 一非共形层，其覆盖于这些导电层、这些存储器结构以及该导电板体的顶部的上方，该非共形层包含一第三空气间隙位于该导电板体与这些存储器结构之一紧邻者之间，该第三空气间隙不连通至该第一、二空气间隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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