务实印刷有限公司理查德·普赖斯获国家专利权
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龙图腾网获悉务实印刷有限公司申请的专利用于集成电路的电阻器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114556603B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080071849.1，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权用于集成电路的电阻器是由理查德·普赖斯设计研发完成，并于2020-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于集成电路的电阻器在说明书摘要公布了：提供了一种薄膜集成电路，该薄膜集成电路包括第一半导体器件、第二半导体器件、第一电阻器和第二电阻器。第一半导体器件的半导体区域、第一电阻器的电阻器主体、第二半导体器件的半导体区域和第二电阻器的电阻器主体由第一源材料和第二源材料中的至少一种形成，并且第一电阻器的电阻器主体的材料和第二电阻器的电阻器主体的材料具有不同的电气特性。
本发明授权用于集成电路的电阻器在权利要求书中公布了：1.一种薄膜集成电路IC，所述薄膜集成电路IC包括第一半导体器件、第二半导体器件、第一电阻器和第二电阻器，其中，所述第一半导体器件的半导体区域、所述第一电阻器的电阻器主体、所述第二半导体器件的半导体区域，以及所述第二电阻器的电阻器主体由第一源材料和第二源材料中的至少一种的沉积层形成，并且其中，所述第一电阻器的所述电阻器主体的材料和所述第二电阻器的所述电阻器主体的材料具有不同的电气特性，并且 其中，所述第一电阻器的所述电阻器主体和所述第一半导体器件的所述半导体区域被包括在所述第一源材料的单个沉积层中， 其中，所述第一半导体器件是薄膜晶体管TFT，并且所述第二半导体器件是肖特基二极管， 其中，所述第二电阻器的所述电阻器主体和所述肖特基二极管的半导体区域被包括在所述第二源材料的单个沉积层中， 其中，所述第一源材料和所述第二源材料不同，以及 其中，所述第一电阻器的所述电阻器主体的材料的电阻率和所述第二电阻器的所述电阻器主体的材料的电阻率之间存在至少一个数量级的差异。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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