弗莱克英纳宝有限公司珍·琼格曼获国家专利权
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龙图腾网获悉弗莱克英纳宝有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992929B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011484111.6，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权半导体装置是由珍·琼格曼;布莱恩·阿斯匹灵设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：一种方法，包括：在支撑衬底上原位形成：第一金属层；在所述第一金属层之后的光吸收层；在所述光吸收层之后的导体图案；以及在所述导体图案之后的半导体层；使用抗蚀剂掩模图案化所述半导体层以形成半导体图案，所述半导体图案限定一个或多个半导体装置的一个或多个半导体沟道；以及使用所述抗蚀剂掩模和所述导体图案图案化所述光吸收层，以便在由至少一个所述抗蚀剂掩模和所述导体图案中占据的区域中选择性地保留所述光吸收层。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种方法，其特征在于：包括： 在支撑衬底上原位形成：第一金属层；在所述第一金属层之后的光吸收层；在所述光吸收层之后的导体图案；以及在所述导体图案之后的半导体层； 使用抗蚀剂掩模图案化所述半导体层以形成半导体图案，所述半导体图案限定一个或多个半导体装置的一个或多个半导体沟道；以及 使用所述抗蚀剂掩模和所述导体图案图案化所述光吸收层，以便在由所述抗蚀剂掩模和所述导体图案中至少一个占据的区域中选择性地保留所述光吸收层。
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