湖南大学段曦东获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种晶圆级二维半导体器件及其范德华集成方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972139B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111225220.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种晶圆级二维半导体器件及其范德华集成方法和应用是由段曦东;杨向东设计研发完成，并于2021-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆级二维半导体器件及其范德华集成方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆级二维半导体器件的范德华集成方法，将载体‑聚合物印章复合在接触电极表面，进行剥离处理，将接触电极中的金属电极阵列从接触电极基片上转移至载体‑聚合物印章上，获得载体‑聚合物‑金属电极材料；所述的载体与聚合物之间存在化学改性赋予的化学键合作用；在背栅电极表面复合过渡金属卤素类化合物二维材料，获得背栅电极‑TMDs复合材料；载体‑聚合物‑‑金属电极材料和背栅电极‑TMDs复合材料根据需要的集成电路方式进行对准，随后剥离载体‑聚合物印章，并进行刻蚀处理，获得晶圆级二维半导体器件。本发明大规模范德华集成方法可为二维半导体器件的可靠集成开辟一条道路，促进二维半导体电子器件的实际化应用。
本发明授权一种晶圆级二维半导体器件及其范德华集成方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级二维半导体器件的范德华集成方法，其特征在于： 将载体-聚合物印章复合在接触电极表面，进行剥离处理，将接触电极中的金属电极阵列从接触电极基片上转移至载体-聚合物印章上，获得载体-聚合物-金属电极材料；印章中，载体为表面具有Si-O键的透明平面载体，聚合物为玻璃化转变温度为100~150℃的聚合物，所述的载体与聚合物之间存在化学改性赋予的化学键合作用； 在背栅电极表面复合过渡金属卤素类化合物二维材料，获得背栅电极-TMDs复合材料； 载体-聚合物-金属电极材料和背栅电极-TMDs复合材料根据需要的集成电路方式进行对准，随后剥离载体-聚合物印章，并进行刻蚀处理，获得晶圆级二维半导体器件。
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