武汉天马微电子有限公司竹知和重获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉天马微电子有限公司申请的专利氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530505B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111287388.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法是由竹知和重设计研发完成，并于2021-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法。在氧化物半导体薄膜晶体管中，氧化物半导体部包括沟道区域以及夹着沟道区域的第一源极漏极区域和第二源极漏极区域。由相对介电常数不小于8的金属化合物制成的绝缘体部位于栅极电极部与氧化物半导体部之间。第一化合物界面部包含氧化物半导体部的构成元素和绝缘体部的构成元素，并具有与第一源极漏极电极部的界面以及与第一源极漏极区域的另一界面。第二化合物界面部包含氧化物半导体部的构成元素和绝缘体部的构成元素，并具有与第二源极漏极电极部的界面以及与第二源极漏极区域的另一界面。
本发明授权氧化物半导体薄膜晶体管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括： 氧化物半导体部，所述氧化物半导体部包括沟道区域以及夹着所述沟道区域的第一源极漏极区域和第二源极漏极区域； 栅极电极部； 绝缘体部，所述绝缘体部位于所述栅极电极部与所述氧化物半导体部之间，所述绝缘体部由相对介电常数不小于8的金属化合物制成； 第一源极漏极电极部； 第二源极漏极电极部； 第一化合物界面部，所述第一化合物界面部具有与所述第一源极漏极电极部的界面以及与所述第一源极漏极区域的另一界面，所述第一化合物界面部包含所述氧化物半导体部的构成元素和所述绝缘体部的金属构成元素；以及 第二化合物界面部，所述第二化合物界面部具有与所述第二源极漏极电极部的界面以及与所述第二源极漏极区域的另一界面，所述第二化合物界面部包含所述氧化物半导体部的构成元素和所述绝缘体部的金属构成元素。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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