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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利应用于高速模式的MIPI电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114301444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111643682.4，技术领域涉及：H03K19/0185；该发明授权应用于高速模式的MIPI电路是由黄耀;杨海玲;王润华;王亚宁;连夏梦设计研发完成，并于2021-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本应用于高速模式的MIPI电路在说明书摘要公布了：本发明提供了一种应用于高速模式的MIPI电路，包括输出单元、驱动单元和匹配单元，所述匹配单元用于产生使MOS管导通阻抗与目标阻抗相同的驱动电压，并采用所述驱动电压为所述驱动单元供电，所述驱动单元用于接收初始高速差分信号，产生所述驱动电压电压域下的高速差分信号，以驱动所述输出单元输出目标高速差分信号，使得所述目标高速差分信号的电压域为所述驱动电压电压域下的高速差分信号，进而使得所述目标高速差分信号与所述目标阻抗相关，降低了MOS管工艺、电压和温度对应用于高速模式的MIPI电路的影响。

本发明授权应用于高速模式的MIPI电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于高速模式的MIPI电路，其特征在于，包括输出单元、驱动单元和匹配单元，所述匹配单元用于产生使MOS管导通阻抗与目标阻抗相同的驱动电压，并采用所述驱动电压为所述驱动单元供电，所述驱动单元用于接收初始高速差分信号，产生所述驱动电压电压域下的高速差分信号，以驱动所述输出单元输出目标高速差分信号； 所述匹配单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、电流源、第一电阻、第一NMOS管和第一运算放大器，所述第一PMOS管、所述第二PMOS管和所述第三PMOS管构成电流镜，所述第一PMOS管的源极、所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的源极接工作电压，所述第一PMOS管的漏极连接所述电流源的负极，所述电流源的正极接地，所述第二PMOS管的漏极与所述第一电阻的一端和所述第一运算放大器的反相输入端连接，所述第一电阻的另一端接地，所述第三PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极和所述第一运算放大器的同相输入端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第一NMOS管的栅极连接，所述第一NMOS管的源极接地； 或，所述匹配单元包括第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、电流源、第一电阻、第一NMOS管和第一运算放大器，所述第六NMOS管、所述第七NMOS管和所述第八NMOS管构成电流镜，所述第六NMOS管的源极、所述第七NMOS管的源极和所述第八NMOS管的源极接地，所述第六NMOS管的漏极连接所述电流源的正极，所述电流源的负极接工作电压，所述第七NMOS管的漏极与所述第一电阻的一端和所述第一运算放大器的反相输入端连接，所述第一电阻的另一端接工作电压，所述第八NMOS管的漏极与所述第一NMOS管的源极和所述第一运算放大器的同相输入端连接，所述第一运算放大器的输出端与所述第一NMSO管的栅极连接，所述第一NMOS管的漏极接工作电压。

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