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龙图腾网获悉苏州能讯高能半导体有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116417503B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111666167.8，技术领域涉及：H10D64/23；该发明授权一种半导体器件是由张乃千;裴轶;孙琳琳;张新川设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种半导体器件，包括位于有源区的多个源极、多个栅极和多个漏极；在有源区内，源极、栅极和漏极沿第一方向交替排列，沿第一方向，包括两个分别最靠近排列端部的源极，任意一个栅极位于一个源极和一个漏极之间；至少位于中心的源极沿第一方向的长度大于位于两端的源极沿第一方向的长度；半导体器件还包括贯穿衬底以及多层半导体层的多排通孔；多排通孔沿第一方向排列，源极在衬底上的正投影与通孔在衬底上的正投影交叠；沿第一方向，至少位于中心的源极对应设置的通孔排数是位于两端的源极对应设置的通孔排数的2倍。本发明实施例的技术方案可以在增强半导体器件中心区域的散热能力的同时，保证半导体器件的射频特性。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：有源区以及围绕有源区的非有源区； 所述半导体器件还包括： 衬底； 多层半导体层，位于所述衬底的一侧； 多个源极、多个栅极和多个漏极，位于所述多层半导体层远离所述衬底的一侧且位于所述有源区内；在所述有源区内，所述源极、所述栅极和所述漏极沿第一方向交替排列，沿所述第一方向，包括两个分别最靠近排列端部的源极，任意一个所述栅极位于一个所述源极和一个所述漏极之间；所述第一方向平行于所述衬底所在平面； 其特征在于， 沿所述第一方向，至少位于中心的源极沿所述第一方向的长度大于位于两端的源极沿所述第一方向的长度； 所述半导体器件还包括贯穿所述衬底以及所述多层半导体层的多排通孔；多排所述通孔沿所述第一方向排列，所述源极在所述衬底上的正投影与所述通孔在所述衬底上的正投影交叠；沿所述第一方向，位于两端的源极对应设置有a排所述通孔，至少位于中心的源极对应设置有b排所述通孔，且满足b=2*a；a和b均为正整数，且a≥1，b≥2； 沿所述第一方向，自位于一端的第一个源极起，第m个源极对应设置有b排通孔； 所述第m个源极沿所述第一方向的长度Ym满足Ym≥3Yh+2Yc； 其中，Yh为所述通孔沿所述第一方向的长度，Yc为位于两端的所述源极和所述通孔的相对边缘在第一方向上的距离；m为大于1的正整数。

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