浙江珏芯微电子有限公司龚汉红获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江珏芯微电子有限公司申请的专利一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114300582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111664539.3，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法是由龚汉红;陈世锐;陈路;杜宇;毛剑宏设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，包括如下步骤：S1：对碲镉汞芯片的正面和或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和或背面周边产生至少一圈边框图形，边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距；S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和或背面，将碲镉汞芯片正面和或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽；S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。该方法可使划片时崩边产生的裂纹隐患阻隔在碲镉汞芯片的芯片有效成像区域外，提升了碲镉汞芯片制备的合格率。
本发明授权一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法在权利要求书中公布了：1.一种可有效避免碲镉汞红外探测器芯片边角裂纹的方法，其特征是：它包括如下步骤： S1：对碲镉汞芯片的正面和或背面进行接近式光刻，使碲镉汞芯片的正面和或背面周边产生至少一圈边框图形，所述边框图形位于芯片有效成像区域的外周并与芯片有效成像区域之间留有间距； S2：将光刻后的碲镉汞芯片通过湿法腐蚀的工艺手段，使步骤S1中的边框图形转移至碲镉汞芯片的正面和或背面，将碲镉汞芯片正面和或背面中位于芯片有效成像区域周围的碲镉汞材料进行腐蚀并在边框图形位置形成凹槽，所述碲镉汞芯片正面的凹槽深度为1μm～50μm，所述碲镉汞芯片背面的凹槽深度为碲镉汞芯片的外延层厚度； 正面开槽位于芯片流片的前道工艺中，正面开槽仅腐蚀一定深度，且槽的深度与外延层厚度和衬底材料厚度呈正相关；背面开槽位于芯片流片的后道工艺中，选择彻底腐蚀； S3：凹槽腐蚀完毕，清洗后将碲镉汞芯片进行下一步芯片工序。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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