买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉湘能华磊光电股份有限公司申请的专利一种半导体发光器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114551662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210186861.8，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种半导体发光器件的制备方法是由徐平;许孔祥设计研发完成，并于2022-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体发光器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体发光器件的制备方法，涉及半导体领域，制备方法包括：提供蓝宝石衬底；对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后在其上面沉积多孔SiO2薄膜；将表面沉积有多孔SiO2薄膜的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；在蓝宝石衬底表面形成有V形孔的一侧沉积多孔立方氮化硼过渡层；生长氮化镓外延层，获得完全结构的外延片。上述制备方法能够提高GaN材料的晶体质量，降低位错密度，有效提高LED器件的发光效率。

本发明授权一种半导体发光器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供蓝宝石衬底； 对蓝宝石衬底进行常规清洗处理后，将蓝宝石衬底置入PECVD反应腔内，在蓝宝石衬底的表面沉积多孔SiO2薄膜，所述多孔SiO2薄膜中小孔的直径为1-5um，相邻两个小孔的圆心距离为2-10um； 将表面沉积有多孔SiO2薄膜的蓝宝石衬底置入ICP反应腔进行干法刻蚀，在蓝宝石衬底的表面形成多个V形孔；所述V形孔沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向朝向所述蓝宝石衬底凹陷，且沿垂直于蓝宝石衬底所在平面的方向，所述V形孔的高度大于多孔SiO2薄膜的厚度且小于蓝宝石衬底的厚度； 将形成有多个V形孔的蓝宝石衬底置入化学气相沉积反应腔内，在蓝宝石衬底表面形成有V形孔的一侧沉积多孔立方氮化硼薄膜过渡层，所述多孔立方氮化硼过渡层中小孔的直径为10-80nm，相邻两个小孔的圆心距离为20-100nm；所述多孔立方氮化硼过渡层的厚度为所述V形孔的高度的一半； 最后利用金属有机化合物化学气相沉淀法在蓝宝石衬底表面形成有V形孔和多孔立方氮化硼过渡层的一侧依次生长氮化镓缓冲层、n型半导体层、多量子阱层、电子阻挡层和P型半导体层，获得完全结构的外延片。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湘能华磊光电股份有限公司，其通讯地址为：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。