上海积塔半导体有限公司张炜虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利结型场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709268B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210302891.0，技术领域涉及：H10D30/83；该发明授权结型场效应晶体管及其制备方法是由张炜虎;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2022-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本结型场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，一种结型场效应晶体管，包括：第一导电类型的基底；至少两层阱区结构，层叠设置于基底；每一层阱区结构包括第二导电类型的第一阱区，以及位于第一阱区的相对两侧的两个第二阱区；其中，第二阱区的导电类型与第二导电类型相反，且与第一导电类型相同；漏极和源极，分别形成于最上一层阱区结构的第一阱区的相对两侧；以及栅极，形成于最上一层阱区结构的两个第二阱区；其中，相邻的两层阱区结构中，相邻的两个第一阱区彼此接触，同一侧的两个第二阱区彼此相连。在获得同样的导电能力的情况下，使用本申请的结型场效应晶体管的结构设计更能节约设计尺寸。
本发明授权结型场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种结型场效应晶体管，其特征在于，包括： 第一导电类型的基底110； 至少两层阱区结构120，沿所述基底110的厚度方向，所述至少两层阱区结构120层叠设置于所述基底110；每一层所述阱区结构120包括第二导电类型的第一阱区121，以及位于所述第一阱区121沿第一方向的相对两侧的两个第二阱区122；其中，所述第二阱区122的导电类型与所述第二导电类型相反，且与所述第一导电类型相同； 漏极130和源极140，分别形成于最上一层所述阱区结构120的所述第一阱区121的区域内沿第二方向的相对两侧，所述第一方向和所述第二方向相交，且均与所述基底110的厚度方向相交；以及 栅极150，形成于最上一层所述阱区结构120的两个所述第二阱区122； 其中，相邻的两层所述阱区结构120中，相邻的两个所述第一阱区121彼此接触，同一侧的两个所述第二阱区122彼此相连。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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