西安电子科技大学宋庆文获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种三维条形元胞结构、制备方法及其器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883384B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210325718.2，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种三维条形元胞结构、制备方法及其器件是由宋庆文;王溶;张玉明;汤晓燕;刘科宇;袁昊;陈利利;陈泽宇设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维条形元胞结构、制备方法及其器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维条形元胞结构，包括：第一导电类型外延区，位于第一导电类型外延区内的第二导电类型阱区，位于第二导电类型阱区内的回形第一导电类型源区，以及位于回形第一导电类型源区内的第二导电类型体区；其中，沿水平方向，第一导电类型外延区、第二导电类型阱区、回形第一导电类型源区以及第二导电类型体区上均设有高度和宽度相同的若干凸起或者凹槽，以在条形元胞结构上形成若干一字型台面结构或者若干一字型凹槽结构。该结构使得器件除了拥有平行于元胞表面的平行沟道外，还拥有垂直于元胞表面的垂直沟道，从而提升了沟道密度，降低了沟道的导通电阻，进而提升了器件的通流能力。
本发明授权一种三维条形元胞结构、制备方法及其器件在权利要求书中公布了：1.一种三维条形元胞结构，其特征在于，包括：第一导电类型外延区1，位于所述第一导电类型外延区1内的第二导电类型阱区2，位于所述第二导电类型阱区2内的回形第一导电类型源区3，以及位于回形第一导电类型源区3内的第二导电类型体区4；其中， 沿水平方向，所述第一导电类型外延区1、所述第二导电类型阱区2、所述回形第一导电类型源区3以及所述第二导电类型体区4上均设有宽度和高度相同的若干凸起或者凹槽，以在条形元胞结构上形成若干一字型台面结构5a或者若干一字型凹槽结构5b。
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