广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所袁旭获国家专利权
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龙图腾网获悉广东中科半导体微纳制造技术研究院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114937593B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210460707.5，技术领域涉及：H01L21/283；该发明授权一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用是由袁旭;于国浩;王哲明;赵德胜;张宝顺设计研发完成，并于2022-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种p‑GaN欧姆接触电极的制备方法，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p‑GaN欧姆接触电极的制备。本发明能够明显提高p‑GaN材料的欧姆接触性能。
本发明授权一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种p-GaN欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片； 在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片； 利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片，在p型GaN表面形成大量的受主型Ga空位，所述Ga空位可以提高界面的净空穴浓度； 在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p-GaN欧姆接触电极的制备； 利用热磷酸溶液进行湿法腐蚀处理过程中，腐蚀时间为2-6h，溶液温度为60-100℃； 所述退火工艺中的温度为500-700°C，退火时间为5-15min，退火氛围为O2单一气体氛围或N2和O2的混合气体气氛或O2和Ar混合气体气氛。
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