深圳市华星光电半导体显示技术有限公司郑帅获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利驱动背板及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114883345B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210487953.X，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权驱动背板及其制备方法、显示面板是由郑帅;宋志伟设计研发完成，并于2022-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本驱动背板及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请公开了一种驱动背板及其制备方法、显示面板。驱动背板包括基底、氧化物半导体层、氧化铝层、氧化硅层、源极、漏极以及栅极。氧化物半导体层设置在基底上，且包括沟道和位于沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部；氧化铝层覆盖在氧化物半导体层的表面，氧化铝层中开设有开口，开口裸露出沟道；氧化硅层设置在氧化铝层远离氧化物半导体层的一侧，氧化硅层填充于开口，并与沟道的表面接触；源极和漏极设置在氧化硅层远离氧化铝层的一侧；栅极设置在氧化物半导体层靠近基底的一侧或氧化硅层靠近源极的一侧。本申请改善了现有驱动背板中的短沟道效应，实现了薄膜晶体管的小型化设计。
本发明授权驱动背板及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种驱动背板，其特征在于，包括： 基底； 氧化物半导体层，设置在所述基底的一侧，所述氧化物半导体层包括沟道和位于所述沟道相对两侧的源极接触部和漏极接触部； 氧化铝层，覆盖在所述氧化物半导体层的表面，所述氧化铝层中开设有开口，所述开口裸露出所述沟道； 氧化硅层，设置在所述氧化铝层远离所述氧化物半导体层的一侧，所述氧化硅层填充于所述开口，并与所述沟道的表面接触，所述氧化硅层自所述开口的周缘延伸至所述开口内；以及 源极和漏极，设置在所述氧化硅层远离所述氧化铝层的一侧，所述源极连接于所述源极接触部，所述漏极连接于所述漏极接触部；以及 栅极，设置在所述氧化物半导体层靠近所述基底的一侧或所述氧化硅层靠近所述源极的一侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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