弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司洪学天获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司申请的专利一种生产具有吸气剂半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241059B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210781569.0，技术领域涉及：H01L21/316；该发明授权一种生产具有吸气剂半导体结构的方法是由洪学天;赵大国;林和;王尧林;牛崇实;黄宏嘉;陈宏设计研发完成，并于2022-07-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种生产具有吸气剂半导体结构的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用吸气剂制造半导体结构的方法，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：S01，在氧化气氛中进行退火；S02，在惰性气氛中进行两阶段退火。本发明的主要优点在于，氧缺陷吸附效率高，工艺过程简单，成本低。本发明所采用的方法不仅可以用于降低硅基的半导体器件与集成电路的氧缺陷含量，也可以推广应用于减低化合物半导体功率器件与集成电路的衬底的微缺陷含量。
本发明授权一种生产具有吸气剂半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种用吸气剂制造半导体结构的方法，其特征在于，包括以下步骤： S01，衬底在氧化气氛中进行退火； S02，衬底在惰性气氛中进行两阶段退火； S01中，在氧化气氛中于1120-1250℃进行2-3小时（h）的退火； S02中，所述两阶段退火包括先在1000-1050℃退火9-11小时（h）或1020-1080℃退火3-6小时（h），后在425-455℃退火1-7小时（h）； S02中，所述两阶段退火的温度和持续时间取决于衬底在氧化环境中退火后微小缺陷的密度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市宝安区航城街道三围社区航城大道159号航城创新创业园A3栋201；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号