台湾积体电路制造股份有限公司李伟豪获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210817186.4，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法是由李伟豪;许倍诚;李信昌设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法在说明书摘要公布了：本公开涉及具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法。等离子体增强原子层沉积PEALD系统包括工艺室。在工艺室内支撑靶材衬底。在工艺室内在靶材衬底之上放置网格。网格包括从网格的第一侧延伸到网格的第二侧的多个孔。在PEALD工艺期间，等离子体产生器产生等离子体。在等离子体与靶材衬底反应之前，通过使等离子体通过网格中的孔来降低等离子体的能量。
本发明授权具有保护网格的等离子体增强原子层沉积的系统和方法在权利要求书中公布了：1.一种用于执行薄膜工艺的系统，包括： 等离子体辅助薄膜沉积室，包括流体入口，所述流体入口被配置为使工艺流体流入所述等离子体辅助薄膜沉积室； 靶材支撑件，所述靶材支撑件在所述等离子体辅助薄膜沉积室内且在所述流体入口下方，并且所述靶材支撑件被配置为支撑所述等离子体辅助薄膜沉积室内的靶材； 第一网格，所述第一网格在所述等离子体辅助薄膜沉积室内且在所述流体入口和所述靶材支撑件之间，所述第一网格包括： 第一侧，所述第一侧远离所述靶材支撑件； 第二侧，所述第二侧靠近所述靶材支撑件；以及 多个第一孔，所述多个第一孔在所述靶材支撑件之上在所述第一侧和所述第二侧之间延伸；以及 第二网格，所述第二网格在所述等离子体辅助薄膜沉积室内且在所述第一网格和所述靶材支撑件之间，并且所述第二网格包括： 第三侧，所述第三侧远离所述靶材支撑件； 第四侧，所述第四侧靠近所述靶材支撑件；以及 多个第二孔，所述多个第二孔在所述靶材支撑件之上在所述第三侧和所述第四侧之间延伸， 其中，所述第二孔相对于所述第一孔横向偏移，使得穿过任一个所述第一孔的垂直线不穿过任一个所述第二孔。
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