苏州华星光电技术有限公司吴昊获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州华星光电技术有限公司申请的专利一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188779B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210821963.2，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法是由吴昊;张文兵;高峰;饶振华;夏宇飞设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法。本发明的CMOS图像芯片包括感光区和包围所述感光区的发光区；在发光区设有多个发光二极管，依据光的可逆性原理，利用发光二极管在待检测基板上的投影图案确定CMOS图像芯片的衬底的感光有效区，避免现有技术以相机成像在显示器上的画面作为调试依据，相机成像画面存在信号延迟导致调试效率低的问题，大大提升相机的调试效率。
本发明授权一种CMOS图像芯片、相机及其调试方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS图像芯片，其特征在于，包括：感光区和包围所述感光区的发光区； 所述CMOS图像芯片包括： 电路层，位于所述感光区和所述发光区； 多个光电二极管，设置于所述感光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层；以及 多个发光二极管，设置于所述发光区的所述电路层上，且电连接至所述电路层； 多个透镜，设置于多个光电二极管和多个发光二极管远离所述电路层的一侧，且每一所述透镜与对应的所述光电二极管或对应的所述发光二极管相对设置； 衬底，位于所述感光区的所述电路层上以及所述发光区的所述电路层上； 其中，所述光电二极管和所述发光二极管共用所述电路层以及所述衬底； 其中，任意一个所述发光二极管的所述发光层远离所述电路层的一侧的表面与所述衬底远离所述电路层的一侧的表面平齐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州华星光电技术有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市苏州工业园区方洲路338号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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