电子科技大学李沫获国家专利权
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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种垂直纳米空气沟道二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411090B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210868468.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种垂直纳米空气沟道二极管及其制备方法是由李沫;魏亚洲;陈飞良;张健设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直纳米空气沟道二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种垂直纳米空气沟道二极管及制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明的结构包括自下而上依次层叠的衬底、缓冲层、发射极、介质层和接收极层；所述发射极为掺杂浓度在1018cm‑3以上的n型高掺杂氮化镓或AlGaNGaN异质结，通过n型高掺杂氮化镓或AlGaNGaN异质结界面的二维电子气发射，提高了载流子数量并改善了能带特性；实现更低的开启电压与更大的发射电流。本发明的制备工艺通过常规的等离子增强化学气相沉积、光刻、电子束蒸发、剥离、干法刻蚀工艺实现，不依赖高精度高成本的纳米工艺制备技术；具备低成本、便于集成化等优点，适用于晶圆级纳米空气沟道二极管阵列的批量生产。
本发明授权一种垂直纳米空气沟道二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直纳米空气沟道二极管，包括自下而上依次层叠的衬底、缓冲层、发射极、介质层和接收极层，其特征在于： 所述发射极为AlGaNGaN异质结，包括第一半导体层和第二半导体层,第一半导体层材料为氮化镓GaN、第二半导体层材料为铝镓氮AlGaN；第一半导体层为一个正方形基板和叠加在正方形基板上的柱体构成的阶梯式结构，第二半导体层层叠在柱体上，其结构、尺寸均与柱体相同，且两者的连接界面处形成有二维电子气； 所述介质层、接收极层的结构、尺寸均与第二半导体相同；第二半导体层、介质层、接收极层依次层叠在一起后使正方形基板上表面与接收极层之间形成空气沟道。
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