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龙图腾网获悉中国科学院长春光学精密机械与物理研究所申请的专利一种输出带状光斑的半导体激光列阵及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115149401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210895544.3，技术领域涉及：H01S5/40；该发明授权一种输出带状光斑的半导体激光列阵及其制备方法是由贾鹏;梁磊;陈泳屹;秦莉;王立军设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种输出带状光斑的半导体激光列阵及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例中的输出带状光斑的半导体激光列阵，解决半导体激光列阵的片上集成光束整形问题。通过采用基于片上集成慢轴准直镜和高填充因子单模波导作为列阵的光束整形和功率放大元件，在大电流工作状态下保证列阵各激光单元发射光束的慢轴发散角经过准直后，实现慢轴发散角压缩，同时保留快轴发散角不变，获得线状光斑输出，同时利用单模波导列阵的密集排布，沿慢轴方面将各单元的线状光斑进行空间叠加，形成高功率密度，能量分布均匀的带状光斑。相应地，制备方法具有全表面图形制备，工艺简单，结构紧凑的优点。

本发明授权一种输出带状光斑的半导体激光列阵及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种输出带状光斑的半导体激光列阵，其特征在于，包括外延片的P面制备激光器波导结构，沿X方向自反射面至出光面，依次为等间距排布的高填充因子单模波导列阵和片上集成慢轴准直透镜，所述高填充因子单模波导列阵和所述片上集成慢轴准直介质透镜光轴重合，所述高填充因子单模波导列阵的进光侧设有高反膜，所述高填充因子单模波导列阵的出光侧设有抗反膜，通过所述高反膜、所述高填充因子单模波导列阵、所述抗反膜构建谐振腔，所述高填充因子单模波导列阵包括多个等间距排布的激光单元，利用所述激光单元输出光束经过同光轴的所述片上集成慢轴准直透镜，使得各激光单元光束的慢轴发散角降低至预设角度，保持快轴方向不进行准直，将快慢轴光束发散角的比值提升至目标比值，将各激光单元输出光束整形成为线状光斑，结合所述高填充因子单模波导列阵输出的光斑，在距离出光面预设距离的平面上形成带状光斑； 所述外延片沿Z方向自下而上依次为N面电极、N型衬底、N型包层、N型波导层、有源层、P型波导层、P型包层、P面电极； 所述激光器波导结构由部分所述P型波导层、所述P型包层和所述P面电极构成； 相邻所述激光单元之间的间距为15微米至60微米。

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