美国亚德诺半导体公司G·P·雷斯马获国家专利权
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龙图腾网获悉美国亚德诺半导体公司申请的专利基于功能器件的封装应力传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115931184B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210965055.0，技术领域涉及：G01L1/12；该发明授权基于功能器件的封装应力传感器是由G·P·雷斯马;K·V·拉扎罗夫设计研发完成，并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于功能器件的封装应力传感器在说明书摘要公布了：本公开涉及基于功能器件的封装应力传感器。一种基于半导体的应力传感器可以包括具有第一和第二集电极端子的双极晶体管器件。激励电路可以向双极晶体管器件的发射极端子提供激励信号，并且可以基于响应于激励信号在集电极端子处测量的信号之间的关系来提供半导体的物理应力指示器。这些信号可以指示半导体的电荷载流子迁移率特性，该特性可用于指示物理应力。在示例中，物理应力指示器基于晶体管器件的基极区域的电流偏转特性。
本发明授权基于功能器件的封装应力传感器在权利要求书中公布了：1.一种用于使用双极晶体管器件来提供物理应力指示器的方法，包括： 向第一双极晶体管器件的发射极提供激励信号，该晶体管器件包括耦合到该晶体管器件的基极区域的第一集电极和不同的第二集电极； 响应于所述激励信号，测量来自所述晶体管器件的第一集电极的第一集电极电流； 响应于所述激励信号，测量来自所述晶体管器件的第二集电极的第二集电极电流； 确定所述第一集电极电流和第二集电极电流之间的幅度差，其中所述幅度差对应于所述晶体管器件的基极区域的载流子迁移率特性；和 基于所述第一集电极电流和第二集电极电流之间的幅度差确定关于所述晶体管器件的所述物理应力指示器。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人美国亚德诺半导体公司，其通讯地址为：美国马萨诸塞州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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