福建省晋华集成电路有限公司张钦福获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体存储装置及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472610B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211008223.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储装置及其制作方法是由张钦福;童宇诚设计研发完成，并于2022-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体存储装置及其制作方法，其包括衬底；多个埋藏字线；与多个存储节点插塞。衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离。埋藏字线埋设在衬底内，穿过浅沟槽隔离或有源区内。存储节点插塞设置在衬底上并接触有源区，存储节点插塞包括多个第一插塞，分别包括由下而上依序堆迭的绝缘材质与导电材质。半导体存储装置的至少一个有源区是同时接触两个第一插塞；或者，半导体存储装置还包括存储节点焊盘，物理性接触至少二个第一插塞。由此，本发明有利于形成组件可靠度较佳的半导体存储装置。
本发明授权半导体存储装置及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，其特征在于包括： 衬底，所述衬底内包括多个有源区与浅沟槽隔离； 多个埋藏字线，埋设在所述衬底内，穿过所述浅沟槽隔离或所述有源区； 多个绝缘侧壁，设置在所述衬底上，部分所述绝缘侧壁位于所述埋藏字线的正上方； 多个存储节点插塞，设置在所述衬底上并接触所述有源区，所述存储节点插塞包括多个第一插塞，其中各所述第一插塞分别包括由下而上依序堆叠的绝缘材质与导电材质；以及 多个存储节点焊盘，设置在所述存储节点插塞上，所述存储节点焊盘中的一个同时物理性接触至少二个所述第一插塞。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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