西安电子科技大学袁昊获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种碳化硅功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440794B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211051411.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅功率器件是由袁昊;王炫杰;宋庆文;汤晓燕;雷邑平;张玉明设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅功率器件，涉及微电子技术领域，包括：有源区和至少部分围绕所述有源区的终端区；衬底；外延层，位于衬底的一侧，至少部分外延层位于终端区，位于终端区的外延层包括传输层；至少部分外延层位于有源区，位于有源区的外延层包括P型参杂层；外延层为N‑外延层，传输层均为N‑传输层，且N‑传输层的浓度小于N‑外延层的浓度。本申请能够提高碳化硅功率器件的雪崩能量。
本发明授权一种碳化硅功率器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件，其特征在于，包括：有源区和至少部分围绕所述有源区的终端区； 衬底； 外延层，位于所述衬底的一侧，至少部分所述外延层位于所述终端区，位于所述终端区的所述外延层包括传输层；至少部分所述外延层位于所述有源区，位于所述有源区的所述外延层包括P型掺杂层；所述外延层为N-外延层，所述传输层均为N-传输层，且所述N-传输层的浓度小于所述N-外延层的浓度； 其中，沿垂直于所述衬底的方向，所述传输层与所述外延层接触的界面为阶梯状；沿所述有源区指向所述终端区的方向，所述传输层的厚度逐渐递减；或者， 沿垂直于所述衬底的方向，所述传输层与所述外延层接触的界面为凹凸状。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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