长鑫存储技术有限公司杨杰获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体设备中延时线的过载检测方法、装置、介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115410637B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211056236.8，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权半导体设备中延时线的过载检测方法、装置、介质及设备是由杨杰设计研发完成，并于2022-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体设备中延时线的过载检测方法、装置、介质及设备在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体和集成电路领域，一种半导体设备中延时线的过载检测方法、装置、介质及设备。该半导体设备中延时线的过载检测方法包括：向所述延时线施加电压信号，所述电压信号包括待测直流信号和交流扰动信号，所述交流扰动信号具有目标频率和目标幅值；获取所述延时线中晶体管对于所述交流扰动信号的响应信号；基于所述响应信号和所述交流扰动信号的相位差检测所述延时线是否过载。本公开延时线过载检测方法，交流扰动信号具有目标频率，能够表征晶体管的栅氧化层与衬底的界面特性，从而通过晶体管对于该交流扰动信号的响应信号与交流扰动信号的相位差可以检测出延时线是否过载。本公开检测方法能够提高对于延时线过载检测的检测效率。
本发明授权半导体设备中延时线的过载检测方法、装置、介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体设备中延时线的过载检测方法，其特征在于， 所述延时线包括晶体管，所述方法包括： 向所述延时线持续施加电压信号，所述电压信号包括待测直流信号和交流扰动信号，所述交流扰动信号具有目标频率和目标幅值； 获取所述延时线中晶体管对于所述交流扰动信号在预设时长后的电流响应信号； 基于所述电流响应信号和所述交流扰动信号的相位差检测所述延时线是否过载。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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