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龙图腾网获悉燕山大学申请的专利一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构及控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498984B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211197803.1，技术领域涉及：H03K3/57；该发明授权一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构及控制方法是由李昕;朱海;孙孝峰设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构及控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构及控制方法，属于经颅磁刺激脉冲发生器领域，包括模块化级联全桥结构、子模块并联结构、电容充电结构和刺激线圈结构；模块化级联全桥结构包括N个子模块，各子模块全桥桥臂中点相互串联，两侧桥臂中点连接刺激线圈结构；子模块由一个储能电容和四个全桥开关结构组成；子模块并联结构包括N‑1个并联结构，每个并联结构分为全桥上端并联结构和全桥下端并联结构；电容充电结构包括由充电电感、充电控制开关管、充电二极管和充电电源组成的升压充电结构以及电感续流结构。本发明能够在刺激线圈中生成可调的不同脉冲电流，进而在大脑生成参数可调控的感应电场，进而实现多种不同的磁刺激效果。

本发明授权一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构及控制方法在权利要求书中公布了：1.一种模块化多级经颅磁刺激发生器的拓扑结构，其特征在于：包括模块化级联全桥结构、子模块并联结构、电容充电结构和刺激线圈结构；所述模块化级联全桥结构包括N个子模块，各子模块全桥桥臂中点相互串联，两侧桥臂中点连接刺激线圈结构；所述子模块为全桥与电容结构，由一个储能电容和四个全桥开关结构组成；所述子模块并联结构包括N-1个并联结构，每个并联结构分为全桥上端并联结构和全桥下端并联结构；所述电容充电结构包括升压充电结构和电感续流结构；通过控制多级子模块放电方式，能够产生参数可控的离散多电平电压脉冲，在刺激线圈中生成多种电流波形，进而生成脉冲宽度、幅值、各相时间参数可控的感应电场，进而实现多种不同的磁刺激效果； 所述模块化级联全桥结构包括N个子模块：第一子模块SM1、第二子模块SM2、…、第N子模块SMN；其中第一子模块SM1右桥臂中点与第二子模块SM2左桥臂中点相连接，第二子模块SM2右桥臂中点与第三子模块SM3左桥臂中点相连接，…，第N-1子模块SMN-1右桥臂中点与第N子模块SMN左桥臂中点相连接，N个子模块中相邻两桥臂中点相互连接，最两侧桥臂即N个子模块级联时第一子模块SM1左桥臂中点以及第N子模块SMN右桥臂中点连接刺激线圈结构； 所述全桥上端并联结构由一个上端并联结构开关管Sp、一个上端并联结构二极管Dp以及一个上端并联结构电感Lp组成；所述全桥下端并联结构由一个下端并联结构开关管Sn和一个下端并联结构二极管Dn组成，其中上端并联结构开关管Sp源极连接上端并联结构二极管Dp阳极，上端并联结构二极管Dp阴极连接上端并联结构电感Lp，下端并联结构开关管Sn源极连接下端并联结构二极管Dn阳极；全桥上端并联结构两端分别连接两个相邻的子模块全桥上端，全桥下端并联结构两端分别连接两个相邻的子模块全桥下端； 所述升压充电结构由充电电感Lc、第一充电控制开关管Sc1、第二充电控制开关管Sc2、充电二极管Dc和充电电源U组成；其中充电电感Lc一端连接充电电源U正极，另一端连接第一充电控制开关管Sc1漏极和第二充电控制开关管Sc2漏极，第一充电控制开关管Sc1源极连接电源地以及相邻子模块下端；第一充电控制开关管Sc1漏极与第二充电控制开关管Sc2漏极连接；第二充电控制开关管Sc2源极连接充电二极管Dc阳极；充电二极管Dc连接相邻子模块上端； 所述电感续流结构由续流控制晶闸管SCR1和充电电感Lc组成；其中续流控制晶闸管SCR1阳极连接第二充电控制开关管Sc2漏极与充电电感Lc右端，续流控制晶闸管SCR1阴极连接充电电源U正极与充电电感左端。

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