京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司黄耀获国家专利权
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龙图腾网获悉京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司申请的专利栅极驱动电路及制作方法、显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115440744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211199292.7，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权栅极驱动电路及制作方法、显示装置是由黄耀;胡明设计研发完成，并于2022-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本栅极驱动电路及制作方法、显示装置在说明书摘要公布了：本公开提供一种栅极驱动电路及制作方法显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的栅极驱动电路中的金属氧化物薄膜晶体管在NBTIS应力的作用下，阈值电压会产生较大的负向漂移，造成漏电的问题。本公开的栅极驱动电路包括：多个移位寄存器；移位寄存器包括：多个第一金属氧化物薄膜晶体管；第一金属氧化物薄膜晶体管在工作状态下的栅源电压差为负值；第一金属氧化物薄膜晶体管包括：基底、位于基底上的第一金属氧化物层。
本发明授权栅极驱动电路及制作方法、显示装置在权利要求书中公布了：1.一种栅极驱动电路，其特征在于，所述栅极驱动电路包括：级联的多个移位寄存器；所述移位寄存器包括：多个第一金属氧化物薄膜晶体管；所述第一金属氧化物薄膜晶体管在工作状态下的栅源电压差为负值；所述第一金属氧化物薄膜晶体管包括：基底、位于所述基底上的第一金属氧化物层； 所述第一金属氧化物薄膜晶体管还包括：分别位于所述第一金属氧化物层靠近所述基底一侧和背离所述基底一侧的第一栅极和第二栅极；所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述第一金属氧化物层在所述基底上的正投影至少部分交叠； 所述移位寄存器还包括：多个第二金属氧化物薄膜晶体管；所述第二金属氧化物薄膜晶体管在工作状态下的栅源电压差为正值； 所述第二金属氧化物薄膜晶体管包括：基底、位于所述基底上的第二金属氧化物层、及位于所述第二金属氧化物层靠近所述基底一侧的第三金属氧化物层；所述第二金属氧化物层的迁移率小于预设值，所述第三金属氧化物层的迁移率大于预设值。
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