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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115528108B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211209682.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法是由郭怀新;王瑞泽;戴家赟;潘斌;钟世昌设计研发完成，并于2022-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种片内微流GaNHEMT功率器件冷却集成组件，包括集成互连介质和微流驱动模块，微流驱动模块上设有对准下凹区域，片内微流GaNHEMT功率器件放置在对准下凹区域内；集成互连介质位于片内微流GaNHEMT功率器件的下方，并设于对准下凹区域内；制备中，还包括设于片内微流GaNHEMT功率器件上方的上吸保护压力板，制备后，拆除上吸保护压力板。本发明的制备方法中引入上吸保护压力板、互连介质设计和工艺控制，实现片内微流GaNHMET功率器件与微流驱动模块的高质量集成互连。本发明能解决集成过程中界面质量差、集成界面漏液的问题，提高封接可靠性，提升GaN微波器件的大功率特性。

本发明授权一种片内微流GaN HEMT功率器件冷却集成组件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种片内微流GaNHEMT功率器件冷却集成组件，其特征在于，包括集成互连介质（c）和微流驱动模块（d），所述微流驱动模块（d）上设有对准下凹区域（d1），片内微流GaNHEMT功率器件（b）放置在对准下凹区域（d1）内；所述集成互连介质（c）位于片内微流GaNHEMT功率器件（b）的下方，并设于对准下凹区域（d1）内；制备过程中，还包括设于片内微流GaNHEMT功率器件（b）上方的上吸保护压力板（a）,制备结束后，拆除上吸保护压力板（a）； 所述上吸保护压力板（a）上设有内腔体（a1）和真空抽气嘴（a2），片内微流GaNHEMT功率器件（b）的有源区（b1）设于内腔体（a1）内，所述内腔体（a1）与有源区（b1）形成的空腔与真空抽气嘴（a2）连通； 所述集成互连介质（c）上设有第一引流道（c1），微流驱动模块（d）中设有第二引流道（d2），所述第一引流道（c1）、第二引流道（d2）分别与片内微流GaNHEMT功率器件（b）上的第三引流道（b2）连通； 所述上吸保护压力板（a）的外围长宽尺寸与片内微流GaNHEMT功率器件（b）的长宽尺寸相同，上吸保护压力板（a）的一侧设有真空抽气嘴（a2），真空抽气嘴（a2）与内腔体（a1）连通； 所述内腔体（a1）的长宽尺寸与有源区（b1）的长宽尺寸相同，内腔体（a1）的深度范围为200um-300um； 所述对准下凹区域（d1）的长宽尺寸与片内微流GaNHEMT功率器件（b）集成区的长宽尺寸相同；对准下凹区域（d1）深度h1范围为50um-250um，且h1-h2≥20um，其中，h2为片内微流GaNHEMT功率器件（b）的厚度； 所述集成互连介质（c）的长宽尺寸与对准下凹区域（d1）的长宽尺寸相同，集成互连介质（c）的厚度范围为10um-30um； 所述第一引流道（c1）的截面尺寸与对准下凹区域（d1）底平面上第二引流道（d2）的截面尺寸相同。

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