中国科学院兰州化学物理研究所张斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院兰州化学物理研究所申请的专利一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115663162B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211511024.4，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法是由张斌;王政德;张俊彦设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法，是先利用氢氩等离子体进行刻蚀处理形成富缺陷结构，再使用中频磁控溅射的方法在锰酸锂表面形成稳固均匀的碳薄膜，然后再次经过射频诱导氩等离子体对薄膜进行表面处理形成分级多孔碳结构。将所制备的富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料制备成锂离子半电池，具有导电性高、容量高、首次充放电效率高、循环性能好等优点。而且，本发明制备过程中不涉及液相、高温过程，有效的避免杂质的引入和晶粒长大，实验过程可控性高、效率高、污染小，具有广阔的市场应用前景。
本发明授权一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种富缺陷核壳结构锰酸锂正极材料的制备方法，包括以下工艺步骤： （1）将锰酸锂粉末烘干后放入磁控溅射装置真空镀膜室的旋转工架上，调整靶间距并抽真空至10-4Pa；开启旋转装置使石墨靶与工架反方向匀速转动； （2）通入氩气、氢气，并调控氩气和氢气的气流量为10:1~4:1，腔室工作气压为30Pa；利用射频电源产生并诱导氩、氢等离子体对电极粉末进行轰击刻蚀； （3）仅通入氩气，调节腔室气压至1Pa，采用中频磁控溅射在电极粉末表面沉积碳薄膜； （4）调节氩气气流量，使腔室工作气压为30Pa；通过射频电源产生并诱导氩等离子体对碳薄膜表面进行有效轰击刻蚀，即得富缺陷核壳结构的锰酸锂正极材料。
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