中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所马永健获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211560761.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法是由马永健;唐文博;查强;张晓东;张宝顺设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法。所述β‑Ga2O3UMOSFET器件包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，所述外延结构包括依次层叠设置的N型氧化镓漂移层、电流阻挡层和第一N型氧化镓外延层，并且，所述外延结构内还设置有槽状结构，所述槽状结构的槽口设置在第一N型氧化镓外延层的表面、槽底设置在所述N型氧化镓漂移层内；以及，第二N型氧化镓外延层，其连续覆设在所述槽状结构的槽壁上。本发明提供的一种垂直型β‑Ga2O3UMOSFET器件的饱和电流密度更高，栅源泄漏电流更小，且可在高电压下工作。
本发明授权UMOSFET器件及提高UMOSFET器件性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种β-Ga2O3UMOSFET器件，包括外延结构以及与所述外延结构配合的源极、漏极和栅极，其特征在于： 所述外延结构包括依次层叠设置的N型氧化镓漂移层、电流阻挡层和第一N型氧化镓外延层，并且，所述外延结构内还设置有槽状结构，所述槽状结构的槽口设置在第一N型氧化镓外延层的表面、槽底设置在所述N型氧化镓漂移层内；以及，第二N型氧化镓外延层，其连续覆设在所述槽状结构的槽壁上，所述β-Ga2O3UMOSFET器件的导电通道位于所述第二N型氧化镓外延层内，所述电流阻挡层是由所述N型氧化镓漂移层的表层区域被注入补偿受主材料后转化形成的高阻区； 至少所述栅极的部分设置在所述槽状结构内，且所述栅极与所述第二N型氧化镓外延层被介质层隔离，所述源极与所述第一N型氧化镓外延层电性结合。
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