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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116207190B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211619675.5，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法是由王立;彭如意;李新华;蒋恺;陈芳;黄超;谢欣宇;胡民伟设计研发完成，并于2022-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种AlN薄膜保护硅衬底Micro‑LED阵列键合转移的方法，所述Micro‑LED阵列表面有一层保护层AlN薄膜，在Micro‑LED阵列与驱动基板键合转移以及去除硅衬底的过程中，保护驱动基板不被破坏。本发明具有如下特点：1、AlN薄膜能起到很好的选择保护的效果；2、作为保护层的AlN薄膜能完全填充Micro‑LED阵列之间的间隙，能最大程度上实现对驱动基板表面的键合金属层及金属焊盘的保护，在干法刻蚀去除硅衬底的过程中可以很好地避免和减少刻蚀产物的附着积累，从而为后续Micro‑LED多次键合转移提供一个比较干净的键合金属表面；3、由于对驱动基板未邦定的区域具有很好的选择保护效果，如果在Micro‑LED阵列上留有足够的间隙，允许进行多次键合，从而能制备双色甚至多色全彩的器件。

本发明授权一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法在权利要求书中公布了：1.一种AlN薄膜保护硅衬底Micro-LED阵列键合转移的方法，其特征在于：包括以下步骤： 1在硅衬底上制备由若干个Micro-LED构成的GaN基Micro-LED阵列，其中相邻两个Micro-LED之间的GaN层被完全刻穿，直至暴露硅衬底； 2在制备好的Micro-LED阵列上生长一层AlN薄膜，且AlN薄膜须覆盖Micro-LED阵列之间的沟槽； 3通过光刻及刻蚀工艺去除Micro-LED的N型金属电极层和P型金属电极层表面的AlN薄膜，将N型金属电极层和P型金属电极层的表面暴露出来； 4将Micro-LED阵列键合转移到驱动基板上； 4.1在步骤4）键合转移后的器件表面再长第二层AlN薄膜； 4.2通过机械减薄的方法将硅衬底减薄至80μm以下； 5通过电感耦合等离子体设备干法刻蚀去除硅衬底。

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