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龙图腾网获悉北京大学东莞光电研究院申请的专利一种金刚石上薄层器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115831746B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211630556.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种金刚石上薄层器件及其制备方法是由王琦;王新强;梁智文;张国义设计研发完成，并于2022-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石上薄层器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种金刚石上薄层器件及其制备方法，包括如下步骤：在蓝宝石衬底上生长薄层器件外延结构；利用离子注入形成离子掩埋层；进行源电极和漏电极制作；进行栅电极制作；淀积氮化硅介质层；沉积金刚石材料层，加热过程中，外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石氮化镓薄层器件；利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。本发明精确控制剥离氮化物外延层器件的厚度，实现薄层器件直接转移器件到金刚石材料上，利用金刚石材料直接生长与结合离子注入分离传统衬底，解决现在薄层氮化镓材料或者器件与金刚石材料结合技术路线中应力大、剥离精度不高、不合适量产、散热不好的问题。

本发明授权一种金刚石上薄层器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石上薄层器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： 1利用PVD方法在蓝宝石衬底上生长厚度为30nm的AlN外延成核层； 2利用MOCVD方法在AlN成核层上外延生长厚度为200nm的GaN沟道层； 3利用MOCVD方法在GaN沟道层上外延生长厚度为25nm的AlGaN势垒层； 4利用离子注入工艺在GaN沟道层注入氢离子或者氦离子，形成离子掩埋层，离子掩埋层位于氮化镓沟道层中，且距离AlGaN势垒层为160nm； 5在AlGaN势垒层上进行光刻，曝光出欧姆接触的源漏级图形，并进行Ti、Al、Ni、Au电子束蒸发，经过去胶剥离和退火，形成器件的源电极和漏电极； 6在AlGaN势垒层上进行光刻，曝光肖特基栅极的图形，用电子束蒸发Ni、Au，经过去胶剥离，形成器件的栅电极； 7利用PEVCD方法在源极、栅极、漏极和AlGaN势垒层上淀积一层厚度为10nm的氮化硅介质层； 8利用MPCVD设备在氮化硅介质层上沉积一层厚度为120μm的金刚石材料层，加热过程中，离子掩埋层中的离子因加热而变成气体，从而把外延材料从离子掩埋层中分离开，形成金刚石氮化镓薄层器件； 9利用激光方法在源漏栅区进行开窗口，用于电路引线，形成正装结构、正向引线的氮化镓薄层器件。

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