中国科学院微电子研究所李永亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211699611.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种半导体器件的制造方法是由李永亮;赵飞设计研发完成，并于2022-12-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于降低偶极子阈值调控技术的退火热预案，确保半导体器件具有良好的工作性能。所述半导体器件的制造方法包括：提供一半导体基底。半导体基底具有的每类区域上均形成有相应环栅晶体管包括的沟道、以及环绕在沟道外周的第一栅介质子层。在位于至少部分类区域上的第一栅介质子层上形成相应厚度和相应材料的偶极子层。对形成有偶极子层的半导体基底进行退火处理，以使得不同类区域对应不同的阈值调控参数；并去除偶极子层。在位于每类区域上的第一栅介质子层上均依次形成相应环栅晶体管包括的第二栅介质子层和栅极。每一环栅晶体管包括的栅介质层包括第一栅介质子层和第二栅介质子层。
本发明授权一种半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供一半导体基底；沿平行于半导体基底表面的方向，所述半导体基底具有至少两类区域；每类所述区域上均形成有相应环栅晶体管包括的沟道、以及环绕在所述沟道外周的第一栅介质子层； 在位于至少部分类所述区域上的所述第一栅介质子层上形成相应厚度和相应材料的偶极子层； 对形成有所述偶极子层的所述半导体基底进行退火处理，以使得不同类所述区域对应不同的阈值调控参数；并去除所述偶极子层； 在位于每类所述区域上的所述第一栅介质子层上均依次形成相应所述环栅晶体管包括的第二栅介质子层和栅极；每一所述环栅晶体管包括的栅介质层包括位于相应类所述区域上的所述第一栅介质子层和所述第二栅介质子层。
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