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龙图腾网获悉中国科学院大学申请的专利一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116322072B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310090959.8，技术领域涉及：H10K30/10；该发明授权一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法是由张丽萌;刘丰珍;周玉荣设计研发完成，并于2023-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法，包括n‑i‑p型结构或p‑i‑n型结构的半透明钙钛矿太阳电池。本发明的有益效果是：所使用的透明导电氧化物薄膜的制备方法是反应等离子体沉积，能够避免沉积过程中对衬底造成损伤，无需在钙钛矿电池上添加缓冲层；所使用的制备透明导电氧化物薄膜的原材料为购置的块体靶材，且除离子枪所需氩气外不需要添加其他工艺气体，制备方法简单；以反应等离子体沉积透明导电氧化物薄膜作为顶部透明导电层的半透明钙钛矿太阳电池，顶部透明电极无需退火，适用于不耐高温的钙钛矿，制备工艺比较简单，可以实现宽带隙钙钛矿电池转换效率20％，具有高效、低成本潜力，适用于大面积电池。

本发明授权一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半透明钙钛矿太阳电池制备方法，其特征在于：包括n-i-p型结构或p-i-n型结构的半透明钙钛矿太阳电池，该太阳电池结构由上而下从上到下依次为Ag栅线1、顶部透明导电层2、第一传输层3、钙钛矿层4、第二传输层5以及ITO玻璃层6； 所述n-i-p型结构太阳电池的第一传输层3为空穴传输层，且第二传输层5为电子传输层；所述p-i-n型结构太阳电池的第一传输层3为电子传输层，且第二传输层5为空穴传输层；位于最上层的所述Ag栅线1为太阳电池的阳极，位于最下层所述ITO玻璃层6上的Ag栅线1为太阳电池的阴极； 半透明钙钛矿太阳电池的制备方法包括以下步骤： 步骤一、采用ITO玻璃清洗剂、去离子水、丙酮、乙醇依次超声清洗ITO玻璃层6衬底； 步骤二、采用紫外-臭氧处理步骤一中备好的ITO玻璃层6衬底10-30分钟； 步骤三、在步骤二处理后的ITO玻璃层6衬底上制备载流子的第二传输层5； 步骤四、在步骤三制备的载流子传输层上，旋涂钙钛矿溶液构成钙钛矿薄膜，以制备钙钛矿层4； 步骤五、在步骤四制备的钙钛矿层4上，旋涂制备载流子的第一传输层3； 步骤六、将氧化物靶材和步骤五制备好的样品放入反应等离子体沉积设备，以制备由透明导电氧化物薄膜构成的顶部透明导电层2，抽真空，真空度达到10-4Pa后，向腔体通入氩气，腔室内气压0.4-0.7Pa时开启主电源，起辉后调整氩气流量到腔室气压稳定在0.1-0.4Pa，调整工作电流为30-60A，打开挡板，薄膜沉积开始，通过控制时间来控制薄膜厚度，待沉积结束后，使挡板遮挡样品，关闭主电源和氩气，透明导电氧化物薄膜沉积完毕； 步骤七、在步骤六制备的透明导电氧化物薄膜表面采用热蒸发技术制备Ag栅线1作为阳极，并在ITO玻璃层6表面采用热蒸发技术制备Ag栅线1作为阴极。

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