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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所申请的专利自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996628B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310212574.4，技术领域涉及：H10N50/80；该发明授权自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法是由王开友;雷坤;阿贝贝;兰修凯设计研发完成，并于2023-02-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括多个存储单元，每个存储单元包括：轨道霍尔层，适用于在面内电流的作用下产生轨道极化流；合金材料层，包括具有相反极性的自旋轨道转换系数的合金材料，适用于在流经合金材料层的面内电流和轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流；磁隧道结，自下而上依次包括：磁自由层，隧穿绝缘层，磁钉扎层，反铁磁层或者人工反铁磁层；保护层；其中，沿第一自旋方向的自旋极化流和与第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导磁自由层的磁矩发生定向翻转，以向存储单元存储信息。

本发明授权自旋轨道矩磁随机存储器及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种自旋轨道矩磁随机存储器，包括以阵列形式排布的多个存储单元，其特征在于，每个所述存储单元包括： 轨道霍尔层（103），适用于在流经所述轨道霍尔层（103）的面内电流的作用下产生轨道极化流； 合金材料层（104），包括具有相反极性的自旋轨道转换系数的合金材料，形成在所述轨道霍尔层（103）上，适用于在流经所述合金材料层（104）的所述面内电流和所述轨道极化流的作用下产生沿第一自旋方向的自旋极化流和沿与所述第一自旋方向相反的第二自旋方向的自旋极化流； 磁隧道结（110），形成在所述合金材料层（104）上，自下而上依次包括： 磁自由层（111），形成在所述合金材料层（104）上，所述磁自由层（111）具有垂直各向异性； 隧穿绝缘层（112），采用氧化物薄膜形成； 磁钉扎层（113），具有固定的磁化方向，所述磁钉扎层（113）具有垂直各向异性； 反铁磁层或者人工反铁磁层（114），适用于钉扎所述磁钉扎层（113）的磁化方向，以使所述磁钉扎层（113）的磁化方向保持固定； 保护层（121），适用于防止所述磁隧道结（110）被氧化； 其中，沿所述第一自旋方向的自旋极化流和与所述第一自旋方向具有相反自旋方向的沿第二自旋方向的自旋极化流产生竞争自旋流效应，诱导所述磁自由层（111）的磁矩发生定向翻转，以向所述存储单元存储信息。

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