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龙图腾网获悉华南农业大学申请的专利一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116243220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310202922.X，技术领域涉及：G01R33/06；该发明授权一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法是由梁亨茂;于俊伟;张俊明;胡振业设计研发完成，并于2023-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法，该电磁感应式微机械磁传感器包括第一谐振结构、第二谐振结构以及两谐振结构间的耦合梁；本发明通过耦合梁将谐振频率为整数比的两个谐振结构连接形成一个内共振耦合谐振系统，该系统能够在某一谐振结构达到谐振非线性后将过载的非线性能量通过内共振原理传递给另一谐振结构并使之谐振，从而通过两个谐振结构的电磁感应式磁感信号输出的叠合提高磁传感器性能，突破传统单一谐振结构型电磁感应式磁传感器难以通过静电驱动力的过载增加提高器件性能的局限性。

本发明授权一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种内共振耦合的电磁感应式微机械磁传感器，其特征在于，包括第一谐振结构组件、第二谐振结构组件以及耦合在第一谐振结构组件和第二谐振结构组件之间的耦合梁； 所述第一谐振结构组件包括驱动电极、第一谐振结构、第一硅本体绝缘层、第一感应线圈、第一线圈绝缘层以及第一线圈金属层；所述第一硅本体绝缘层设置在第一谐振结构上；所述驱动电极位于第一谐振结构远离第一硅本体绝缘层的一侧；所述第一感应线圈设置在第一硅本体绝缘层上；所述第一线圈绝缘层设置在第一感应线圈上；所述第一线圈金属层设置在第一线圈绝缘层上； 所述第二谐振结构组件包括第二谐振结构、第二硅本体绝缘层、第二感应线圈、第二线圈绝缘层以及第二线圈金属层；所述第二硅本体绝缘层设置在第二谐振结构上；所述第二感应线圈设置在第二硅本体绝缘层上；所述第二线圈绝缘层设置在第二感应线圈上；所述第二线圈金属层设置在第二线圈绝缘层上； 在工作状态下，所述驱动电极以静电驱动方式驱动所述第一谐振结构进入扭转或平动谐振模态；当第一谐振结构处于扭转或平动谐振模态时，在外磁场下第一感应线圈切割磁感线，产生一路正比于外部磁场大小的感应电动势信号；在施加的驱动电压使第一谐振结构接近非线性状态的临界点时，若继续增加静电驱动电压以增加驱动力则第一谐振结构进入非线性的振幅饱和状态； 基于内共振原理，通过耦合梁将过载驱动的第一谐振结构上的谐振非线性的能量传递给第二谐振结构，带动第二谐振结构进行扭转或平动谐振运动，第二感应线圈进行切割磁感线运动，产生新的一路感应电动势信号；通过对两路输出电动势信号分别进行信号处理以及分别转换为直流信号，再将两路直流信号进行加和，从而反映出磁场的强度； 所述第一谐振结构的固有频率和第二谐振结构的固有频率之比为整数倍； 所述第一谐振结构采用低频结构，所述第二谐振结构采用高频结构；或者所述第一谐振结构采用高频结构，所述第二谐振结构采用低频结构。

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