中国人民解放军海军军医大学;华东理工大学董国强获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军海军军医大学;华东理工大学申请的专利一种作为NAMPT-PDEδ双靶点抑制剂的化合物及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116589402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310348128.6，技术领域涉及：C07D213/82；该发明授权一种作为NAMPT-PDEδ双靶点抑制剂的化合物及其应用是由董国强;盛春泉;陈振倩设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种作为NAMPT-PDEδ双靶点抑制剂的化合物及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种作为NAMPT‑PDEδ双靶点抑制剂的化合物或其药用盐，结构通式选自以下结构的一种：本发明还公开了所述作为NAMPT‑PDEδ双靶点抑制剂的化合物或其药用盐在制备NAMPT‑PDEδ双靶点抑制剂中的应用，以及所述作为NAMPT‑PDEδ双靶点抑制剂的化合物或其药用盐在制备抗肿瘤的药物中的应用。本发明制备的化合物体外抗肿瘤活性测试表现出较强的体外抗肿瘤活性和广谱抗肿瘤的特点；NAMPT和PDEδ抑制活性表明，大部分化合物对两者均有较强的抑制作用，是针对NAMPT‑PDEδ的双靶点抑制剂，本发明化合物可以用于治疗恶性肿瘤及与分化增殖相关疾病。
本发明授权一种作为NAMPT-PDEδ双靶点抑制剂的化合物及其应用在权利要求书中公布了：1.一种作为NAMPT-PDEδ双靶点抑制剂的化合物或其药用盐，其特征在于，结构通式选自以下结构的一种： 其中，X选自-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2CH2-、 R1选自 R2选自氢、卤素、C1～C10烷氧基、C1～C10烷基； R3选自氢、卤素、C1～C10烷氧基、C1～C10烷基； R4选自氢、卤素、C1～C10烷氧基、C1～C10烷基； R5选自氢、卤素、C1～C10烷氧基、C1～C10烷基； R6选自氢、卤素、C1～C10烷氧基、C1～C10烷基； R7选自氢、卤素； R8选自氢、卤素； R9选自氢、卤素； R10选自氢、卤素； R11选自氢、卤素。
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