南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司吴小明获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116500403B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-09-12发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310355515.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法是由吴小明;林前英;陈湘婷设计研发完成，并于2023-04-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法，实现方案是：测量至少三个不同xn的LED芯片的外量子效率En，其中xn表示LED芯片的出光面中光滑面的面积与总出光面的面积的比值，0＜xn＜1；根据En与xn的数值，通过公式[xna+1‑xnb]c＝En进行非线性拟和得到a、b、c常数，从而计算出LED的光提取效率LEE＝xna+1‑xnb及内量子效率IQE＝c。由于实际LED芯片中集成反射镜、粗化面等提高出光效率的结构，出光模式较为复杂，模拟和利用PL测量得到的LED光提取效率的方法与LED芯片实际的光提取效率相差较大，此测量方法基于实际测量结果计算更能反应LED芯片实际的光提取效率和内量子效率。
本发明授权一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法在权利要求书中公布了：1.一种测量LED芯片光提取效率及内量子效率的方法，其特征在于：测量至少三个不同xn的LED芯片的外量子效率En，其中xn表示LED芯片的出光面中光滑面的面积与总出光面的面积的比值，0＜xn＜1；根据En与xn的数值，通过公式1进行非线性拟和得到a、b、c常数，从而计算出LED的光提取效率LEE＝xna+1-xnb及内量子效率IQE＝c，公式1如下： [xna+1-xnb]c＝En1。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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